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一种具有低电阻与密勒电容的非对称沟槽SiC MOSFET器件
¥25800
专利号:
2024116079572
申请人:
重庆邮电大学
专利类型:
发明专利
专利状态:
已下证
更新日期:
2026-09-09
缴费截止日期:
暂无
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国家局暂未公布该信息
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