1.双开口环结构宽带微波吸收器，其特征在于：包括以水平方向截面为正方形的电介质层(1)，电介质层(1)的底面设有一层金属接地层(2)，电介质层(1)的顶面设有金属贴片层(3)；所述的金属贴片层(3)包括位于电介质层(1)顶面中心位置的正八边环形贴片(4)，所述的正八边环形贴片(4)的内环宽度为2-3mm，所述的正八边环形贴片(4)的外环宽度为

4-4.4mm；所述正八边环形贴片(4)的两侧设有扇环贴片(5)，所述的扇环贴片(5)为金属圆环柱被两个圆柱切割后形成；所述的金属圆环柱以介质层表面中心为圆心，所述的金属圆环柱的内侧面半径为4.7-5.5mm，金属圆环柱的外侧面半径为6-7mm；所述的两个圆柱为以介质层表面的两个对角为圆心，且两个圆柱的底面半径为6.5-7.5mm。

2.根据权利要求1所述的双开口环结构宽带微波吸收器，其特征在于：所述电介质层(1)的磁导率为2.65，损耗角正切为0.002；所述电介质层(1)的长宽均为15mm,厚度为

3.75mm。

3.根据权利要求1所述的双开口环结构宽带微波吸收器，其特征在于：所述金属接地层(2)的长宽均为15mm，厚度为0.12mm；所述金属接地层(2)的材料为铜，导电率为σ＝5.8×

107s/m。

4.根据权利要求1所述的双开口环结构宽带微波吸收器，其特征在于：所述的金属贴片层(3)的厚度为0.12mm；所述金属贴片层(3)的材料为铜，导电率为σ＝5.8×107s/m。

5.根据权利要求1所述的双开口环结构宽带微波吸收器，其特征在于：所述的正八边环形贴片(4)的外环宽度为4.2mm，内环宽度为2.5mm。

6.根据权利要求1所述的双开口环结构宽带微波吸收器，其特征在于：所述扇环贴片(5)外环的半径为6.8mm，内环半径为5mm。

7.根据权利要求1所述的双开口环结构宽带微波吸收器，其特征在于：所述两个圆柱的底面半径为7mm。