1.一种基于芴环配体的晶体材料，其特征在于：所述晶体材料的化学式为[Cd3(L)2(NDA)3(H2O)2·L]n，

2‑

其中，L为芴环配体，NDA 为1,4‑萘二甲酸根阴离子配体，n为任意值；

其中，所述芴环配体的结构式如式(I)所示：所述晶体材料的晶系为三斜；空间群为P‑1；晶胞参数为α＝109.942(4)°，β＝93.638(3)°，γ＝100.064(4)°，Z＝2。

2.如权利要求1所述的基于芴环配体的晶体材料的制备方法，其特征在于：包括，二水合乙酸镉、4,4’‑((2,7‑二叔丁基‑9H‑芴‑9‑基)亚甲基)二吡啶、1,4‑萘二甲酸加入到水和甲醇的混合溶剂中搅拌制得混合液；

混合液置于密闭的反应釜中加热反应，降至室温，产物经过滤、洗涤、干燥，即得到发光金属‑有机框架晶体材料[Cd3(L)2(NDA)3(H2O)2·L]n；

所述二水合乙酸镉、4,4’‑((2,7‑二叔丁基‑9H‑芴‑9‑基)亚甲基)二吡啶、1,4‑萘二甲酸的摩尔比为1：0.5～2：0.5～2；

所述混合溶剂中水和甲醇的体积比1：0.5～2；

所述每0.1mmol二水合乙酸镉需水和甲醇混合溶剂体积为4～12mL；

所述加热反应，其中，加热温度为120～180℃，加热时间为48～72h；

所述降至室温，其中，降温速率为2～5℃/h。

2+

3.如权利要求2所述的制备方法制得的基于芴环配体的晶体材料在发光增强检测Hg中的应用。

2+

4.如权利要求3所述的基于芴环配体的晶体材料在发光增强检测Hg 中的应用，其特征

2+ 4 ‑1

在于：所述基于芴环配体的晶体材料发光增强检测水相Hg 的淬灭常数为‑2.12×10M 。

2+

5.如权利要求3所述的基于芴环配体的晶体材料在发光增强检测Hg 中的应用，其特征

2+ ‑7

在于：所述基于芴环配体的晶体材料发光增强检测水相Hg 的检测极限为3.51×10 M。