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1.一种发光增强水相检测Bi 的发光晶体材料的制备方法：包括，将氯化镉、1,4‑萘二甲酸（H2NDA）和9‑二(3‑吡啶)乙烯‑芴（3‑L）加入到混合溶剂中，搅拌制得混合液；

将混合液置于密闭的反应釜中加热反应，然后缓慢降至室温，产物经过滤、超声洗涤、干燥得到发光晶体材料[Cd(NDA)(3‑L)(H2O)]n。

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2.如权利要求1所述发光增强水相检测Bi 的发光晶体材料的制备方法，其特征在于：所述氯化镉、1,4‑萘二甲酸（H2NDA）和9‑二(3‑吡啶)乙烯‑芴（3‑L）的摩尔比为1：1：0.25~0.75。

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3.如权利要求1所述发光增强水相检测Bi 的发光晶体材料的制备方法，其特征在于：所述混合溶剂为水与乙腈体积比为1：0.5 2的混合溶液。

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4.如权利要求1或3所述发光增强水相检测Bi 的发光晶体材料的制备方法，其特征在于：所述每添加0.1 mmol氯化镉所需混合溶剂的体积为4 8 mL。

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5.如权利要求1所述发光增强水相检测Bi 的发光晶体材料的制备方法，其特征在于：所述加热反应，加热温度为130 150 ℃，加热时间为24 72 h。

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6.如权利要求1所述发光增强水相检测Bi 的发光晶体材料的制备方法，其特征在于：所述降至室温的降温速率为2 5 ℃/h。

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7.如权利要求1所述发光增强水相检测Bi 的发光晶体材料的制备方法，其特征在于：所述超声洗涤，洗涤溶剂为水和乙腈体积比为1：0.5 2混合物，超声功率为50 Hz，超声时间~为5 10 min。

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8.如权利要求1所述发光增强水相检测Bi 的发光晶体材料的制备方法，其特征在于：所述干燥，包括真空干燥或室温干燥，干燥温度50 80℃，干燥时间3 10 min。

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9.如权利要求1 8任一所述发光增强水相检测Bi 的发光晶体材料的制备方法制备所~得的材料[Cd(NDA)(3‑L)(H2O)]n，其中，n无限制范围。

10.如权利要求9所述材料[Cd(NDA)(3‑L)(H2O)]n，其特征在于：所述材料[Cd(NDA)(3‑3+ 4 ‑1 ‑5

L)(H2O)]n检测溶液中Bi 的增强常数为‑5.3×10 M ，检测限为1.87×10  mM。