1.一种具有选择性探测Cu(Ⅱ)的发光晶体材料的制备方法，其特征在于：包括，第一步制备：将4-氨基-3,5-二(2-吡啶基)-1,2,4-三氮唑(2-bpt)和硝酸镉加入到反应溶液中搅拌制得稳定悬浮液；

第二步制备：再加入均苯四甲酸搅拌制得稳定悬浮液；

第三步制备：第二步制备后，经加热反应，得到所述发光晶体材料。

2.如权利要求1所述的具有选择性探测Cu(Ⅱ)的发光晶体材料的制备方法，其特征在于：所述硝酸镉包括四水合硝酸镉，所述反应溶液包括水。

3.如权利要求1或2所述的具有选择性探测Cu(Ⅱ)的发光晶体材料的制备方法，其特征在于：所述第三步制备，其中，所述加热，包括将第二步制备后得到的所述悬浮液置于密闭的聚四氟乙烯反应釜中加热。

4.如权利要求1或2所述的具有选择性探测Cu(Ⅱ)的发光晶体材料的制备方法，其特征在于：所述4-氨基-3,5-二(2-吡啶基)-1,2,4-三氮唑(2-bpt)：四水合硝酸镉：均苯四甲酸的摩尔比为1:1～2:1～2。

5.如权利要求2所述的具有选择性探测Cu(Ⅱ)的发光晶体材料的制备方法，其特征在于：所述第一步制备，其中，每0.2mmol四水合硝酸镉所需水的体积范围为3～6mL。

6.如权利要求1、2或5任一所述的具有选择性探测Cu(Ⅱ)的发光晶体材料的制备方法，其特征在于：所述加热反应，温度为140～170℃。

7.如权利要求1、2或5任一所述的具有选择性探测Cu(Ⅱ)的发光晶体材料的制备方法，其特征在于：所述加热反应，时间为70～75h。

8.如权利要求1、2或5任一所述的具有选择性探测Cu(Ⅱ)的发光晶体材料的制备方法，其特征在于：还包括，降温、过滤、洗涤、干燥：经第三步制备，加热反应后，再经过降温、过滤、洗涤、干燥，得到所述发光晶体材料。

9.如权利要求8所述的具有选择性探测Cu(Ⅱ)的发光晶体材料的制备方法，其特征在于：所述降温，降温速率为2～5℃/h，降温至室温。

10.权利要求1～9任一所述的制备方法制得的具有选择性探测Cu(Ⅱ)的发光晶体材料，其特征在于：所述发光晶体材料具有水稳定性，检测灵敏度高，检测Cu(Ⅱ)的探测限为

1.90μM。