1.一种双金属氧化物半导体气敏材料，其特征在于，包括MOx和CeO2双种组分，M为Fe、Ni、Mn、Co、Ti、Cu或Zn，两组分通过掺杂或形成异质结的方式均匀紧密地结合在一起，MOx和CeO2的摩尔比为1:1‑10:1。

2.根据权利要求1所述的双金属氧化物半导体气敏材料，其特征在于，通过在前驱体中加入粘结剂的方法使得两组分均匀紧密地结合在一起，MOx和CeO2两种组分相互作用强烈，在反应过程中通过电子传输增强传感响应值。

3.一种根据权利要求1或2所述的双金属氧化物半导体气敏材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）前驱体制备：一定摩尔比的六水硝酸铈、MOx对应硝酸盐和柠檬酸溶于去离子水中，充分搅拌混合后，在50‑100℃下水浴蒸干至胶状，再将胶状物质转移至烘箱中，在60‑180℃下发泡、烘干，即得复合材料的前驱体；

（2）退火处理：将前驱体粉末转移至马弗炉中，在250‑700℃下退火处理2‑12小时，即得双金属氧化物半导体气敏材料。

4.根据权利要求3所述的双金属氧化物半导体气敏材料的制备方法，其特征在于，步骤（1）中所述六水硝酸铈、MOx对应硝酸盐的摩尔比为1:1‑10:1。

5.根据权利要求3所述的双金属氧化物半导体气敏材料的制备方法，其特征在于，步骤（1）中柠檬酸的用量为硝酸盐总量的1‑2倍。

6.根据权利要求3所述的双金属氧化物半导体气敏材料的制备方法，其特征在于，步骤（1）中搅拌混合的过程持续2小时以上，使得两组分充分均匀混合。

7.根据权利要求3所述的双金属氧化物半导体气敏材料的制备方法，其特征在于，步骤（1）中水浴温度需保持在60℃以上。

8.根据权利要求3所述的双金属氧化物半导体气敏材料的制备方法，其特征在于，步骤（1）中转移至烘箱的温度不低于水浴温度。

9.根据权利要求3所述的双金属氧化物半导体气敏材料的制备方法，其特征在于，步骤（2）中将前驱体粉末转移至马弗炉中，以6℃/min程序进行升温，在250‑700℃下退火处理2‑

12小时。

10.一种根据权利要求3‑9任一项所述方法制备的双金属氧化物半导体气敏材料的应用，其特征在于，应于乙酸乙酯气体的检测。