1.一种对三乙胺具有高响应灵敏度的金属氧化物气敏材料，其特征在于：所述材料由纳米半导体金属氧化物组成，所述纳米半导体金属氧化物平均径为74~78 nm。

2.根据权利要求1所述的材料，其特征在于：所述纳米半导体金属氧化物是氧化铜。

3.制作权利要求2所述材料的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

1）一水合醋酸铜、均苯三甲酸溶解混合溶液中，在室温下搅拌，直至有沉淀生成，将沉淀物取出，离心分离，得到沉淀物；

2）所述步骤1）得到的沉淀物依次采用去离子水和无水乙醇分别洗涤，洗涤后的产物用无水乙醇浸泡，每隔8~12 h更换无水乙醇，浸泡结束后置于90~110℃的真空干燥箱中干燥

23~28h，自然冷却至室温，最后得到蓝色粉晶，即为前躯体HKUST-1材料；

3）将步骤2）制得的前躯体HKUST-1材料置于坩埚中，然后放置在马弗炉中，马弗炉升温至500~700℃，并保温，自然冷却至室温，最后得到黑色产物，该产物为对三乙胺具有高响应灵敏度的氧化铜气敏材料。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述步骤1）一水合醋酸铜、均苯三甲酸与混合溶液的固液比4：4：3~7。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：所述步骤1）混合溶液由N’N-二甲基甲酰胺、无水乙醇和去离子水按体积比为0.5~1.5：0.5~1.5：0.5~1.5组成。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述步骤1）沉淀产物离心分离条件为转速

3000 ~11000 r/min，离心时间12~18 min。

7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述步骤2）洗涤后的产物用无水乙醇浸泡的固液比为1：15~30，浸泡总时间为2.5~4天。

8.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述步骤3）马弗炉升温速率为1~20 ℃/min。

9.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述步骤3）保温0.5 ~3 h。

10.权利要求1或2所述的材料或权利要求3-8任意一项所述材料制作方法在对三乙胺具有高响应灵敏度检测中的应用。