1.一种低界面热阻氮化硼导热骨架的制备方法，其特征在于，包括步骤：对氮化硼纳米片在氩气和水气氛下进行等离子体改性，所述等离子体改性时气流速度0.5～4 L/min，等离子反应时间10～150s，等离子改性电压为2～10 kV，频率为1～4kHz，将等离子体改性后的氮化硼纳米片采用硅烷偶联剂改性，将等离子/偶联剂联合改性后的氮化硼纳米片分散至聚丙烯腈溶液中并进行真空抽滤并干燥得到氮化硼/聚丙烯腈饼，所述聚丙烯腈溶液浓度为0.1wt%～4wt%，等离子/偶联剂联合改性后的氮化硼纳米片与聚丙烯腈的质量比为10:

1～1:1，将氮化硼/聚丙烯腈饼在保护气氛下煅烧使聚丙烯腈热解为石墨结构得到所述低界面热阻氮化硼导热骨架，所述将氮化硼/聚丙烯腈饼在保护气氛下煅烧是将氮化硼/聚丙烯腈饼在保护气氛下于100～300℃保温1～1.5h，然后在800～1500℃下保温1～1.5h。

2.根据权利要求1所述的低界面热阻氮化硼导热骨架的制备方法，其特征在于，所述将等离子体改性后的氮化硼纳米片采用硅烷偶联剂改性具体为取硅烷偶联剂加入到乙醇和纯水的混合溶液中，调节混合溶液pH值至4～5，然后加入等离子体改性后的氮化硼纳米片进行超声分散，最后清洗并去除多余的硅烷偶联剂和杂质并干燥。

3.根据权利要求2所述的低界面热阻氮化硼导热骨架的制备方法，其特征在于，所述硅烷偶联剂在混合溶液中含量为0.5 wt%～5wt%。

4.根据权利要求3所述的低界面热阻氮化硼导热骨架的制备方法，其特征在于，所述硅烷偶联剂为KH560。

5.根据权利要求1所述的低界面热阻氮化硼导热骨架的制备方法，其特征在于，所述将

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氮化硼/聚丙烯腈饼在保护气氛下煅烧时升温速度为5～20℃min 。

6.一种低界面热阻导热复合材料的制备方法，其特征在于，将根据权利要求1‑5中任意一项所述的低界面热阻氮化硼导热骨架的制备方法得到的低界面热阻氮化硼导热骨架浸入到聚合物基体溶液中并在真空环境中放置待溶剂挥发，取出浸渍有聚合物基体的低界面热阻氮化硼导热骨架进行固化得到低界面热阻导热复合材料。

7.根据权利要求6所述的低界面热阻导热复合材料的制备方法，其特征在于，所述浸渍有聚合物基体的低界面热阻氮化硼导热骨架中低界面热阻氮化硼导热骨架材料的含量为5 wt%～15wt%。