1.一种常压下基于石墨制备金刚石的方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：S1：将预处理后的石墨片A作为衬底，放到以钽靶为靶材的磁控溅射设备中，保护氛围下，对钽靶进行启辉洗靶后进行溅射，得到钽负载的石墨片；

S2：预处理后的石墨片B经过以下操作得到钽负载更分散的石墨片：和步骤S1所述的钽负载的石墨片一同放入微波等离子体化学气相沉积设备中进行氢等离子体处理，得到钽负载更分散的石墨片；S3：步骤S2所述的钽负载更分散的石墨片于真空密封容器内，马弗炉中

600～1000℃退火30～180min，得到纳米金刚石颗粒。

2.如权利要求1所述的常压下基于石墨制备金刚石的方法，其特征在于：步骤S1所述的预处理后的石墨片A、步骤S2所述的预处理后的石墨片B按如下操作得到：将石墨片打磨、抛光，在有机溶剂中超声清洗，用去离子水清洗，干燥，得到预处理后的石墨片；所述有机溶剂为乙醇或丙酮。

3.如权利要求1所述的常压下基于石墨制备金刚石的方法，其特征在于：步骤S1中所述磁控溅射设备为JGP‑450磁控溅射设备。

4.如权利要求1所述的常压下基于石墨制备金刚石的方法，其特征在于：步骤S1中所述保护氛围为惰性气体氛围。

5.如权利要求1所述的常压下基于石墨制备金刚石的方法，其特征在于：步骤S1中所述启辉洗靶的操作为：在偏压‑100V、电源功率250W下启辉洗靶5min。

6.如权利要求1所述的常压下基于石墨制备金刚石的方法，其特征在于：步骤S1中所述溅射的条件为：电源功率40‑60W，溅射时间1‑2min。

7.如权利要求1‑6任一项所述的常压下基于石墨制备金刚石的方法，其特征在于：步骤S2中所述氢等离子体处理的条件为：氢气流量100‑200sccm，工作气压1‑2torr，功率700‑

2000W，处理时间10‑40min。

8.如权利要求7所述的常压下基于石墨制备金刚石的方法，其特征在于：步骤S2中所述功率为1200W。

9.如权利要求1‑6任一项所述的常压下基于石墨制备金刚石的方法，其特征在于：步骤S3中所述退火的温度为1000℃。

10.如权利要求1所述的常压下基于石墨制备金刚石的方法，其特征在于所述方法为：S1：将预处理后的石墨片A作为衬底，放到以钽靶为靶材的磁控溅射设备中，氩气氛围下，对钽靶进行启辉洗靶后进行溅射，得到钽负载的石墨片；

所述洗靶的条件为：偏压‑100V，电源功率250W，启辉洗靶时间5min；所述溅射的条件为：电源功率40W，溅射时间1min；

S2：预处理后的石墨片B经过以下操作得到钽负载更分散的石墨片：和步骤S1所述的钽负载的石墨片一同放入微波等离子体化学气相沉积设备中进行氢等离子体处理，得到钽负载更分散的石墨片；所述氢等离子体处理的条件为：氢气流量

100sccm，工作气压1torr，功率1200W，处理时间20min；

S3：步骤S2所述的钽负载更分散的石墨片于真空密封容器内，马弗炉中1000℃退火

120min，得到纳米金刚石颗粒。