1.一种半导体终端保护结构，包括有源区(1)和终端保护区(2)，有源区(1)和终端保护区(2)之间设置有虚拟设置的虚线，终端保护区(2)包裹式设置在有源区(1)的外围，其特征在于，所述终端保护区(2)设置有第一半导体基板(7)，所述第一半导体基板(7)包括第一导电类型漂移区(8)、场限屏蔽绝缘层(9)和导电多晶硅体组件(10)，所述场限屏蔽绝缘层(9)包裹设置在所述导电多晶硅体组件(10)的外部，所述导电多晶硅体组件(10)设置有若干个，若干个所述导电多晶硅体组件(10)依次横向竖直分布在所述第一导电类型漂移区(8)内部，若干所述导电多晶硅体组件(10)之间穿插分布有场限环注入区，所述场限环注入区呈环状设置有若干个，若干个所述场限环注入区在深度上呈梯形分布，且若干个所述场限环注入区宽度不等。

2.根据权利要求1所述的半导体终端保护结构，其特征在于，所述第一半导体基板(7)还包括第一导电类型衬底(12)和基极金属接入层(13)，所述第一导电类型衬底(12)设置在所述第一导电类型漂移区(8)下方，所述基极金属接入层(13)设置在所述第一导电类型衬底(12)的底部。

3.根据权利要求1所述的半导体终端保护结构，其特征在于，所述有源区(1)上部设置有第一导电类型源极区(4)和第二导电类型极区(5)，所述第一导电类型源极区(4)设置在所述第二导电类型极区(5)上部，且所述第一导电类型源极区(4)外部连接有源极金属层(3)。

4.根据权利要求1所述的半导体终端保护结构，其特征在于，所述导电多晶硅体组件(10)包括导电硅体(101)和第一类型导电阱区(102)，所述第一类型导电阱区(102)呈圆形包裹在所述导电硅体(101)的底部，且场限屏蔽绝缘层(9)间隔设置在所述导电硅体(101)与第一类型导电阱区(102)之间。

5.根据权利要求1所述的半导体终端保护结构，其特征在于，所述第一半导体基板(7)还包括绝缘介质层，所述绝缘介质层铺设在所述导电多晶硅体组件(10)的顶部。

6.根据权利要求1所述的半导体终端保护结构，其特征在于,所述有源区(1)的下部设置有第二半导体基板(6)，所述第二半导体基板(6)包括第一导电多晶硅(61)和第一绝缘层(62)，所述第一导电多晶硅(61)和第一绝缘层(62)均设置有若干个，且若干个所述第一导电多晶硅(61)的尺寸相同，若干个所述第一绝缘层(62)的宽度相同，所述第一绝缘层(62)呈圆形包裹设置在所述第一导电多晶硅(61)的底部。

7.根据权利要求4所述的半导体终端保护结构，其特征在于，所述导电多晶硅体组件(10)上部的外部包裹设置有第二类型导电阱区(11)。