1.一种光刻结构，其特征在于，所述光刻结构包括：抗反射层(120)；

在所述抗反射层(120)上形成的热缩材料层(130)；

在所述热缩材料层(130)上形成的平坦层(140)；

在所述平坦层(140)上形成的光刻胶层(150)。

2.根据权利要求1所述的光刻结构，其特征在于，所述热缩材料层(130)的材料为聚乙烯、聚丙烯、涤纶树脂、邻苯基苯酚、聚偏二氯乙烯或聚烯烃中的任一种。

3.根据权利要求1所述的光刻结构，其特征在于，所述热缩材料层(130)的厚度小于

200nm。

4.根据权利要求1所述的光刻结构，其特征在于，所述抗反射层(120)为有机抗反射涂层或无机抗反射涂层。

5.根据权利要求4所述的光刻结构，其特征在于，所述抗反射层(120)为旋涂碳层。

6.根据权利要求1所述的光刻结构，其特征在于，所述平坦层(140)为旋涂玻璃层。

7.根据权利要求6所述的光刻结构，其特征在于，所述平坦层(140)的材料为硅氧烷或硅酸盐。

8.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：衬底(110)；

在所述衬底(110)上形成的抗反射层(120)；

在所述抗反射层(120)上形成的热缩材料层(130)；

在所述热缩材料层(130)上形成的平坦层(140)；

在所述平坦层(140)上形成的光刻胶层(150)。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述热缩材料层(130)的材料为聚乙烯、聚丙烯、涤纶树脂、邻苯基苯酚、聚偏二氯乙烯或聚烯烃中的任一种。

10.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底(110)的材料为硅锗合金、磷砷化镓、铝铟砷、铝镓砷、镓铟砷、磷铟化镓或磷砷铟镓中的任一种。