1.一种组合式单晶硅压差传感器，包括传感器外壳(1)、传感器外壳(1)一侧设置的传感器正压腔(2)、传感器外壳(1)另一侧设置的传感器负压腔(3)、传感器外壳(1)空腔内安置的单晶硅传感器芯片(4)、单晶硅传感器芯片(4)上部连接的导油管路一(5)以及单晶硅传感器芯片(4)下部连接的导油管路二(6)，导油管路一(5)以及导油管路二(6)远离单晶硅传感器芯片(4)的一端分别与传感器正压腔(2)以及传感器负压腔(3)连接；

其特征在于：

油管主仓(9)，设置于单晶硅传感器芯片(4)的下方，且位于导油管路一(5)以及导油管路二(6)靠近单晶硅传感器芯片(4)下方弯折部的中间位置，油管主仓(9)内置两组尺寸以及结构相同的油管内腔(11)；

推油片(15)，安装于油管内腔(11)的腔内，推油片(15)的表面固设有磁石(16)；

电磁铁(14)，设置于油管内腔(11)的腔内且位于磁石(16)的一侧，电磁铁(14)的表面固设有套筒(13)，所述套筒(13)远离电磁铁(14)的一端螺纹插接有螺杆(12)；

传动电机(10)，通过螺栓固设于油管主仓(9)的侧部，传动电机(10)的输出端穿过油管主仓(9)的侧壁与螺杆(12)连接；

导油连管一(7)，连接于导油管路一(5)以及油管主仓(9)之间，导油管路二(6)以及油管主仓(9)之间连接有导油连管二((8)；

导流口(18)，开设于油管主仓(9)的侧壁，通过导流口(18)完成油管主仓(9)与导油管路一(5)以及导油管路二(6)的连通；

缓冲槽(17)，开设于推油片(15)的侧壁。

2.根据权利要求1所述的一种组合式单晶硅压差传感器，其特征在于：油管主仓(9)的侧部与传感器外壳(1)的内壁固定。

3.根据权利要求1所述的一种组合式单晶硅压差传感器，其特征在于：所述螺杆(12)与套筒(13)螺纹连接，电磁铁(14)通过螺杆(12)与套筒(13)的螺纹连接沿着油管内腔(11)的槽内壁横向移动。

4.根据权利要求1所述的一种组合式单晶硅压差传感器，其特征在于：缓冲槽(17)采用矩形凹槽状结构。

5.根据权利要求1所述的一种组合式单晶硅压差传感器，其特征在于：导流口(18)的开口位置与推油片(15)贴在油管内腔(11)槽一端处的缓冲槽(17)位置相对设置。