1.一种稀土掺杂的宽带短波红外荧光材料，其特征在于，分子式为M2‑2m(x+y)O3·

3+ 3+ 3+ + +

NAl1‑n(x+y)O2:xYb /yTm ，其中，0.2≤x≤0.85，0

所述稀土掺杂的宽带短波红外荧光材料是以M2O3晶相为主、以NAlO2晶相为辅的两相固熔体。

2.根据权利要求1所述的稀土掺杂的宽带短波红外荧光材料，其特征在于，所述稀土掺杂的宽带短波红外荧光材料的激发波长为950 nm‑1100 nm。

3.根据权利要求1所述的稀土掺杂的宽带短波红外荧光材料，其特征在于，所述稀土掺杂的宽带短波红外荧光材料的发射波长为1500 nm‑2100 nm。

4.根据权利要求1所述的稀土掺杂的宽带短波红外荧光材料，其特征在于，所述稀土掺杂的宽带短波红外荧光材料的发射带半高宽为350 nm‑450 nm。

5.一种权利要求1‑4任一项所述的稀土掺杂的宽带短波红外荧光材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法为高温固相反应法。

6.根据权利要求5所述的稀土掺杂的宽带短波红外荧光材料的制备方法，其特征在于，

3+ 3+

包括以下步骤，按照分子式M2‑2m(x+y)O3·NAl1‑n(x+y)O2:xYb /yTm 中的M、N、Al、Yb、Tm的化学计量比称取原料：M2O3、N2CO3、Al2O3、Yb2O3和Tm2O3，混合均匀后经煅烧、研磨、过筛、水洗、干燥，得到所述稀土掺杂的宽带短波红外荧光材料。

7.根据权利要求6所述的稀土掺杂的宽带短波红外荧光材料的制备方法，其特征在于，所述煅烧是以5 ℃/min‑10 ℃/min的速率升温至1100 ℃‑1200 ℃煅烧8 h‑10 h。

8.根据权利要求6所述的稀土掺杂的宽带短波红外荧光材料的制备方法，其特征在于，所述干燥的温度为60 ℃‑120 ℃。

9.一种短波红外pc‑LED器件，其特征在于，将权利要求1‑4任一项所述的稀土掺杂的宽带短波红外荧光材料封装于红外发光二极管中，得到所述的短波红外pc‑LED器件。