1. HKUST‑1/CoFe2O4/g‑C3N4纳米复合材料修饰电极，其特征是包括电极主体，其外表面包覆电催化材料，所述电催化材料为HKUST‑1/CoFe2O4/g‑C3N4，HKUST‑1/CoFe2O4/g‑C3N4纳米复合材料由铜源、g‑C3N4、H3BTC和CoFe2O4按摩尔比为1﹕（1.40~1.80）﹕（0.46~0.50）﹕（0.30~

0.40）进行水热反应制成，然后分散于水中，得到修饰液；电极与所述的修饰液接触，即得HKUST‑1/CoFe2O4/g‑C3N4纳米复合材料修饰电极；水热反应的条件为：自生压力下，反应温. −1度为120 150℃，反应时间为10 12h，升温速率为3 5 ℃ min 。

~ ~ ~

2.根据权利要求1所述的HKUST‑1/CoFe2O4/g‑C3N4纳米复合材料修饰电极，其特征是，所述CoFe2O4由钴源和铁源接触且采用高温煅烧法制得；所述煅烧的条件为：自生压力下，反应. −1温度为400 450℃，反应时间为2 3h，升温速率为1 2℃min ；所述钴源与铁源的摩尔比为~ ~ ~

1﹕2 1﹕1。

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3.根据权利要求2所述的HKUST‑1/CoFe2O4/g‑C3N4纳米复合材料修饰电极，其特征是，在进行煅烧前，向所述钴源和铁源的混合液中滴入沉淀剂，离心分离获得沉淀物，洗涤数次后烘干，然后再进行高温煅烧反应。

4. 根据权利要求1或2或3所述的HKUST‑1/CoFe2O4/g‑C3N4纳米复合材料修饰电极，其特征是，将所述修饰液滴铸在玻碳电极表面，然后进行干燥得到HKUST‑1/CoFe2O4/g‑C3N4纳米复合材料修饰电极；所述修饰液的浓度为0.5 1mg/mL；所述修饰液的用量为5 10 μL。

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5.电化学传感器，其特征是，具有权利要求1‑4中任意一项所述的HKUST‑1/CoFe2O4/g‑C3N4纳米复合材料修饰电极。