1.一种氧化铋基中低熵氧离子导体材料(Bi2O3)0.95‑x(Ho0.4Er0.4Tm0.4Yb0.4Lu0.4O3)x(WO3)0.05，x=0.1、0.2、0.3、0.4 陶瓷的制备方法，具体制备步骤为：（1） 将纯度为质量百分比99 %的Bi2O3、Ho2O3、Er2O3、Tm2O3、Yb2O3、Lu2O3以及WO3原料按照(Bi2O3)0.95‑x(Ho0.4Er0.4Tm0.4Yb0.4Lu0.4O3)x(WO3)0.05，x=0.1、0.2、0.3、0.4 摩尔比组成称量配料；按制得4 g的产物进行准备，将称好的原料放置于研钵中，加适量的无水乙醇，反复研磨一个小时，在红外灯下烘干；

（2） 将烘干后的粉末分别称取4 g用Φ 20模具压片，放入高温烧结马弗炉中，在650  °C下预烧8小时；再研磨后，称取0.5 g用Φ 10模具压片，在850 1080 °C下烧制10小时，样品~以5 ℃/min的速度升温和降温，得到致密的陶瓷片；

（3） 将步骤（2）制得陶瓷片砸碎，然后通过XRD、SEM‑EDS测试得到目标材料，通过EIS测‑2 试得出，在700 ℃所有比例电导率均大于>10 S/cm。

2.一种如权利要求1所述的氧化铋基中低熵氧离子导体材料(Bi2O3)0.95‑x(Ho0.4Er0.4Tm0.4Yb0.4Lu0.4O3)x(WO3)0.05，x=0.1、0.2、0.3、0.4 陶瓷，其特征在于，利用Ho、Er、Tm、Yb和Lu共五种镧系元素与钨共掺氧化铋，形成单一稳定δ物相。

3.一种如权利要求1所述的氧化铋基中低熵氧离子导体材料(Bi2O3)0.95‑x(Ho0.4Er0.4Tm0.4Yb0.4Lu0.4O3)x(WO3)0.05，x=0.1、0.2、0.3、0.4 陶瓷，其特征在于，掺杂共五种镧系元素的比例可以达到x=0.4。

4.一种如权利要求1所述的氧化铋基中低熵氧离子导体材料(Bi2O3)0.95‑x(Ho0.4Er0.4Tm0.4Yb0.4Lu0.4O3)x(WO3)0.05，x=0.1、0.2、0.3、0.4 陶瓷，其特征在于，Ho、Er、Tm、Yb和Lu共五种镧系元素与钨共掺氧化铋，根据不同掺杂比例计算熵值分别为中熵或者低熵。