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专利号: 2023111294084
申请人: 桂林理工大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2026-05-14
缴费截止日期: 暂无
联系人

摘要:

权利要求书:

4+ 2+ 2

1.一类稀土氧化物基高熵氧离子导体材料 (DyxErxYbxLuxMe1‑x)2O3‑δ(Me=Zr 、Mg 、Ca+ 2+、Ba )陶瓷的制备方法,具体制备步骤为:

(1) 将纯度为质量百分比99 % 的Dy2O3、Er2O3、Yb2O3、Lu2O3、ZrO2、MgO、CaCO3以及BaCO3原料按照(Dy0.2Er0.2Yb0.2Lu0.2Zr0.2)2O3.2、(Dy0.2375Er0.2375Yb0.2375Lu0.2375Mg0.05)2O2.95、(Dy0.2375Er0.2375Yb0.2375Lu0.2375Ca0.05)2O2.95、(Dy0.225Er0.225Yb0.225Lu0.225Ba0.1)2O2.9化学计量比组成称量配料;按制得4 g的产物进行准备,将称好的原料放置于研钵中,加适量的无水乙醇,反复研磨一个小时,在红外灯下烘干;

(2) 将烘干后的粉末分别称取4 g用Φ 20模具压片,放入高温烧结马弗炉中,在1300 °C下预烧12小时;再研磨后,称取0.5 g用Φ 10模具压片,在 1600  °C下烧制12小时,样品以5 ℃/min的速度升温和降温,得到致密的陶瓷片;

(3) 将步骤(2)制得陶瓷片砸碎,然后通过XRD、SEM‑EDS测试得到单一物相,在800 ℃和湿润CO2气氛下分别保温24 h、48 h测试。

2.一类如权利要求1所述的稀土氧化物基高熵氧离子导体材料 (DyxErxYbxLuxMe1‑x)4+ 2+ 2+ 2+

2O3‑δ (Me=Zr 、Mg 、Ca 、Ba )陶瓷的制备方法,其特征在于,以Ln2O3为基底,利用Dy、Er、Yb和Lu共四种镧系元素与Zr、Mg、Ca、Ba中任意一元素共掺,形成单一稳定物相。

3.一类如权利要求1所述的稀土氧化物基高熵氧离子导体材料 (DyxErxYbxLuxMe1‑x)4+ 2+ 2+ 2+

2O3‑δ (Me=Zr 、Mg 、Ca 、Ba )陶瓷的制备方法,其特征在于,以Ln2O3为基底,利用Dy、Er、Yb和Lu共四种镧系元素与Zr、Mg、Ca、Ba中任意一元素共掺,以不同比例形成单一稳定化合物,经计算为高熵氧化物,四种组成的熵值分别为1.74R、1.65R、1.66R、1.69R。