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专利号: 2016111837362
申请人: 安徽工业大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2025-11-06
缴费截止日期: 暂无
联系人

摘要:

权利要求书:

1.一种制备纯相中温氧离子导体La10Si6O27的方法,其特征在于包括如下步骤:

1)称量La(NO3)3·6H2O晶体,溶于去离子水中,不断搅拌,直至晶体完全溶解,得到溶液A;量取氨水,溶于去离子水中,形成氨水溶液,称量Na2SiO3粉末,溶于上述氨水溶液中,得到溶液B;所述溶液A与溶液B等体积;

所述La3+:SiO32-:NH4+的摩尔比为10:6:36;

2)以稀氨水作为缓冲液和反应场所,将溶液A和溶液B同时进行滴定混合,保持相同滴定速率,滴定过程中不断搅拌,控制pH值为11;

3)过滤步骤(2)反应充分的悬浊液,取滤渣放入烘箱干燥,使滤渣中水分完全排出;

4)将步骤(3)得到的干粉放入模具中进行干压,将得到的陶瓷片放入马弗炉中煅烧,得到纯相中温氧离子导体La10Si6O27。

2.如权利要求1所述的一种制备纯相中温氧离子导体La10Si6O27的方法,其特征在于,在步骤(3)中,所述滤渣放入80℃烘箱干燥10h。

3.如权利要求1所述的一种制备纯相中温氧离子导体La10Si6O27的方法,其特征在于,在步骤(4)中,所述陶瓷片放入马弗炉中700℃~900℃煅烧6h。

4.如权利要求1所述的一种制备纯相中温氧离子导体La10Si6O27的方法,其特征在于,在步骤(4)中,所述陶瓷片放入马弗炉中700℃煅烧6h。