1.一种界面修饰材料的制备方法，其特征是，包括以下步骤：

1）将4‑溴‑1,8‑萘酸酐和3‑氨基戊烷在无水乙二醇中混匀并在氩气气氛下于60℃‑110℃搅拌反应完全，旋蒸除去溶剂，粗产物通过硅胶柱色谱纯化得到 ；

2）将Br‑NI、5‑(4,4,5,5‑四甲基‑1,3,2‑二氧杂环戊硼烷‑2‑基)噻吩‑2‑甲醛和四（三苯基膦）钯加入THF中，再加入碳酸钾溶液，然后，将混合物在氩气气氛下于60℃‑110℃搅拌反应完全，加入水并用氯仿萃取混合物，有机层用盐水洗涤并用硫酸镁干燥，减压除去溶剂，并用硅胶柱色谱纯化残留物，得到 ；

3）将CTNI、氰基乙酸和哌啶在无水氯仿中混合并在氩气气氛下于60℃‑110℃搅拌反应完全，冷却至室温后，加入盐酸，用氯仿提取混合物，有机层用盐水洗涤并用硫酸镁干燥，减压除去溶剂，残留物用正己烷/氯仿重结晶纯化，得到 界面修饰材料。

2.根据权利要求1所述的界面修饰材料的制备方法，其特征是，步骤1）中4‑溴‑1,8‑萘酸酐和3‑氨基戊烷的摩尔比为1:6；步骤1）中，硅胶柱色谱纯化时采用体积比为2:1的石油醚和二氯甲烷的混合溶剂作为洗脱剂。

3.根据权利要求1所述的界面修饰材料的制备方法，其特征是，步骤2）中，Br‑NI、5‑(4,

4,5,5‑四甲基‑1,3,2‑二氧杂环戊硼烷‑2‑基)噻吩‑2‑甲醛、四（三苯基膦）钯和碳酸钾的摩尔比为1:1.2:0.5:8 9；步骤2）中，硅胶柱色谱纯化时，采用二氯甲烷作为洗脱剂。

~

4.根据权利要求1所述的界面修饰材料的制备方法，其特征是，步骤3）中，CTNI、氰基乙酸和哌啶的摩尔比为1:2:6；步骤2）中，重结晶时，正己烷和氯仿的体积比为1:1。

5.权利要求1至4任一项所述的制备方法制得的界面修饰材料，其特征是，所述界面修饰材料为 。

6.一种基于权利要求5界面修饰材料的全印刷碳基钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征是，包括以下步骤：

1）在ITO导电衬底上刮涂SnO2溶液，退火处理，得到SnO2电子传输层；

2）将CATNI溶液刮涂到SnO2电子传输层上得到CATNI界面修饰层，所述CATNI的结构为；

3）将FAI、MAI、PbI2、氯化胍以0.4:0.48:1:0.12的摩尔比混合在2‑甲氧基乙醇/NMP的混合溶剂中，搅拌均匀形成浓度为1 2 mol/L的钙钛矿前驱液，将钙钛矿前驱液刮涂到CATNI~界面修饰层上，退火处理，以获得最终的钙钛矿层；

4）将P3HT的氯苯溶液刮涂到钙钛矿层上，退火处理，得到空穴传输层；

5）用刮刀刮涂碳浆料，退火处理，得到碳电极。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征是，步骤1）中，SnO2溶液的浓度为5~7wt%；步骤2）中，CATNI溶液为浓度4 6mg/mL的CATNI氯苯溶液；步骤4）中，P3HT的氯苯溶液的浓度为~

15 25mg/mL。

~

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征是，步骤1）的退火处理是指150℃退火60分钟；步骤3）的退火处理是指在120℃的热板上加热10分钟；步骤4）的退火处理是指100℃退火5分钟；步骤5）的退火处理是指在120℃的热板上加热15分钟。

9.权利要求6至8任一项所述制备方法制得的全印刷碳基钙钛矿太阳能电池，其特征是，自下而上依次包括导电衬底、电子传输层、界面修饰层、钙钛矿层、空穴传输层、碳电极。