1.一种量子点修饰的无机钙钛矿太阳电池，其特征在于，包括从下到上依次堆叠的透明导电玻璃（1），电子传输层（2），Cs2PbI2Cl2量子点下层（3），钙钛矿吸收层（4），Cs2PbI2Cl2量子点上层（5），空穴传输层（6）和金属电极（7）；所述钙钛矿吸收层（4）的材料为CsPbX3，X为I或/和Br。

2.一种量子点修饰的无机钙钛矿太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，清洗透明导电玻璃（1）；

步骤2，在透明导电玻璃（1）上制备电子传输层（2）；

步骤3，通过旋涂法在电子传输层（2）上制备Cs2PbI2Cl2量子点下层（3）；

步骤4，在Cs2PbI2Cl2量子点下层（3）上制备CsPbX3钙钛矿吸收层（4）；X为I或/和Br；

步骤5，通过旋涂法在CsPbX3钙钛矿吸收层（4）上制备Cs2PbI2Cl2量子点上层（5）；

步骤6，在Cs2PbI2Cl2量子点上层（5）上制备空穴传输层（6）；

步骤7，在空穴传输层（6）上制备金属电极（7）。

3.根据权利要求2所述的一种量子点修饰的无机钙钛矿太阳电池的制备方法，其特征在于，Cs2PbI2Cl2量子点下层（3）通过将Cs2PbI2Cl2量子点前驱液旋涂在电子传输层（2）上制备得到，Cs2PbI2Cl2量子点上层（5）通过将Cs2PbI2Cl2量子点前驱液旋涂在CsPbX3钙钛矿吸收层（4）上制备得到。

4.根据权利要求3所述的一种量子点修饰的无机钙钛矿太阳电池的制备方法，其特征在于，所述Cs2PbI2Cl2量子点前驱液浓度为1.5 mmol/L ~10 mmol/L，溶质为Cs2PbI2Cl2量子点，溶剂为甲苯、氯苯或乙酸乙酯。

5.根据权利要求3所述的一种量子点修饰的无机钙钛矿太阳电池的制备方法，其特征在于，所述Cs2PbI2Cl2量子点前驱液中量子点的尺寸为1‑20nm。

6.根据权利要求2所述的一种量子点修饰的无机钙钛矿太阳电池的制备方法，其特征在于，步骤3中，旋涂转速为2000～5000 rpm/s，旋涂时间为20 40s；旋涂后退火处理制得~Cs2PbI2Cl2量子点下层（3），退火温度为50~100℃，退火时间为5～15min。

7.根据权利要求2所述的一种量子点修饰的无机钙钛矿太阳电池的制备方法，其特征在于，步骤4中，所述钙钛矿吸收层（4）由无机钙钛矿前驱体溶液旋涂后退火制得，旋涂包括两个阶段：第一阶段转速为500～1500 rpm/s，旋涂时间为5～20s；第二阶段转速为2000～

5000 rpm/s，旋涂时间为30～50s；旋涂后退火分为三个阶段，第一阶段退火温度为25～50℃，退火时间为3～10min；第二阶段退火温度为100～180℃，退火时间为5～20min；第三阶段退火温度为200～250℃，退火时间为3～10min。

8.根据权利要求7所述的一种量子点修饰的无机钙钛矿太阳电池的制备方法，其特征在于，所述无机钙钛矿前驱体溶液的溶质为CsPbX3，X为I或/和Br，浓度为0.6～1.2 mol/L，溶剂为DMF和DMSO的混合溶液。

9.根据权利要求2所述的一种量子点修饰的无机钙钛矿太阳电池的制备方法，其特征在于，步骤5中，旋涂转速为2000～5000 rpm/s，旋涂时间为20 40s；旋涂后退火处理制得~Cs2PbI2Cl2量子点上层（5），退火温度为50~120℃，退火时间为5～15min。

10.根据权利要求2‑9任意一项所述的量子点修饰的无机钙钛矿太阳电池的制备方法，其特征在于，所述电子传输层（2）的材料为TiO2、ZnO、SnO2或Nb2O5中的任意一种；空穴传输层（6）的材料为Spiro‑OMeTAD、PEDOT:PSS、P3HT或PTAA；金属电极（7）为金电极。