利索能及
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专利号: 2019105540742
申请人: 宁波大学科学技术学院
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2025-12-01
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种ZnO修饰的SnO2基钙钛矿太阳能电池,其特征在于:包括依次层状分布的导电玻璃层、ZnO修饰层、SnO2电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层以及金属电极层。

2.根据权利要求1所述的ZnO修饰的SnO2基钙钛矿太阳能电池,其特征在于:所述ZnO修饰层降低SnO2电子传输层远离导电玻璃层一面的粗糙度,SnO2电子传输层抑制ZnO修饰层和钙钛矿层接触所产生的羟基诱导的质子化反应。

3.根据权利要求1或2所述的ZnO修饰的SnO2基钙钛矿太阳能电池,其特征在于:SnO2电子传输层与钙钛矿层接触面的粗糙度为0.7nm。

4.根据权利要求3所述的ZnO修饰的SnO2基钙钛矿太阳能电池,其特征在于:所述钙钛矿层材质为(FAPbI3)0.85(MAPbBr3)0.15,钙钛矿层和空穴传输层的接触面粗糙度为21nm。

5.根据权利要求1或2所述的ZnO修饰的SnO2基钙钛矿太阳能电池,其特征在于:所述SnO2电子传输层的厚度为20nm。

6.一种ZnO修饰的SnO2基钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:步骤①:将ZnO纳米颗粒水溶液和氨水混合制成ZnO前驱液,将ZnO前驱液旋涂至导电玻璃层的表面后退火,形成ZnO修饰层;

步骤②:将SnO2纳米颗粒水溶液和氨水混合制成SnO2前驱液,将SnO2前驱液旋涂至ZnO修饰层的表面后退火,形成SnO2电子传输层;

步骤③:将钙钛矿前驱液旋涂至SnO2电子传输层表面后退火,形成钙钛矿层;

步骤④:将空穴传输材料溶液旋涂至钙钛矿层表面,形成空穴传输层;

步骤⑤:在空穴传输层的表面蒸镀金属电极层。

7.根据权利要求6所述的ZnO修饰的SnO2基钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于:步骤①中,ZnO纳米颗粒水溶液中ZnO纳米颗粒的质量分数为20%,ZnO纳米颗粒水溶液和氨水的体积比为1:25,氨水体积分数为50%。

8.根据权利要求7所述的ZnO修饰的SnO2基钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于:步骤②中,SnO2纳米颗粒水溶液中SnO2纳米颗粒的质量分数为15%,氨水体积分数为25-

28%,SnO2纳米颗粒水溶液和氨水的体积比为1:4。

9.根据权利要求8所述的ZnO修饰的SnO2基钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于:步骤③中,钙钛矿前驱液的配置方法如下,将1.15mol PbI2、0.20mol PbBr2,0.20mol MABr和1.09mol FAI溶解至1ml体积比为4:1的DMF和DMSO的混合溶剂中。