1.一种如式(Ⅰ)表示的基于吩噻嗪的噻吩类衍生物单体：

2.一种制备如权利要求1所述的基于吩噻嗪的噻吩类衍生物单体的方法，其特征在于， 包括以下步骤：S2.1、将10‑苯基‑10H‑吩噻嗪与N‑溴代丁二酰亚胺混合后加入四氢呋喃，进行溴化反应，得到结构如式(Ⅱ)所示的中间体；S2.2、在氮气气氛下，将中间体与2‑三丁基甲锡烷基二联噻吩混合后，加入N,N‑二甲基甲酰胺和催化剂，进行Stiller偶联反应，得到所述基于吩噻嗪的噻吩类衍生物单体； 其中，所述中间体的结构式为：

3.根据权利要求2所述的基于吩噻嗪的噻吩类衍生物单体的制备方法，其特征在于，所述步骤S2.1中，10‑苯基‑10H‑吩噻嗪与N‑溴代丁二酰亚胺的摩尔比为1：(9～10)，溴化反应温度为0～10℃。

4.根据权利要求2所述的基于吩噻嗪的噻吩类衍生物单体的制备方法，其特征在于，所述步骤S2.2中，中间体与2‑三丁基甲锡烷基二联噻吩的摩尔比为1:(9～10)。

5.一种由权利要求1所示的式(Ⅰ)表示的基于吩噻嗪的噻吩类衍生物单体制备得到的聚噻吩类导电聚合物，其结构式如下：其中，n代表平均聚合度，n为10～2000。

6.一种制备如权利要求5所述的聚噻吩类导电聚合物的方法，其特征在于，包括以下步骤：S6.1、将基于吩噻嗪的噻吩类衍生物单体和支持电解质溶解于溶剂中，随后加入三电极电解池中；S6.2、以恒电位电沉积法，电聚合得到聚噻吩类导电聚合物薄膜。

7.根据权利要求6所述的聚噻吩类导电聚合物的制备方法，其特征在于，所述步骤S6.1中，基于吩噻嗪的噻吩类衍生物单体浓度为0.5～1mmol/L。

8.根据权利要求6或7所述的聚噻吩类导电聚合物的制备方法，其特征在于，所述步骤S6.1中，支持电解质选自四丁基六氟磷酸铵、四丁基高氯酸铵、四氟硼酸锂、高氯酸锂中的任一。

9.根据权利要求6或7所述的聚噻吩类导电聚合物的制备方法，其特征在于，所述步骤S6.1中，溶剂选自二氯甲烷、色谱级乙腈、碳酸丙烯酯中的任一。

10.如权利要求5所述的聚噻吩类导电聚合物或权利要求6～9任一所述方法制备得到的聚噻吩类导电聚合物在电致变色领域中的应用。