1.一种三苯胺‑噻吩类导电聚合物，其特征在于，所述聚合物的结构式为：其中，结构式中的R为 或者 或者 ，n代表平均聚合度，n取10‑2000。

2.一种如权利要求1所述的三苯胺‑噻吩类导电聚合物的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将X型三苯胺‑噻吩类衍生物和支持电解质溶解于溶剂中；

（2）循环伏安电化学聚合成膜；

（3）脱掺杂，清洗，干燥，得到目标产物。

3.如权利要求2所述的一种三苯胺‑噻吩类导电聚合物的制备方法，其特征在于，所述X型三苯胺‑噻吩类衍生物的结构式为： ，其中，结构式中的R为 或者 或者 。

4.如权利要求2或3所述的一种三苯胺‑噻吩类导电聚合物的制备方法，其特征在于，所述X型三苯胺‑噻吩类衍生物的浓度为0.5 1 mmol/L。

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5.如权利要求2所述的一种三苯胺‑噻吩类导电聚合物的制备方法，其特征在于，所述支持电解质为四丁基六氟磷酸铵、四丁基高氯酸铵、四氟硼酸锂、高氯酸锂中的一种。

6.如权利要求2所述的一种三苯胺‑噻吩类导电聚合物的制备方法，其特征在于，所述溶剂为色谱级二氯甲烷、色谱级乙腈、碳酸丙烯酯中的一种。

7.如权利要求2所述的一种三苯胺‑噻吩类导电聚合物的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中循环伏安电化学聚合的电压范围为0 1.2 V，循环伏安聚合圈数为6 10圈。

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8.如权利要求2所述的一种三苯胺‑噻吩类导电聚合物的制备方法，其特征在于，所述脱掺杂条件为电压‑0.8 ‑0.5 V，时间30 60 s。

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9.权利要求1所述三苯胺‑噻吩类导电聚合物在用于制作电极材料中的应用。

10.权利要求1所述三苯胺‑噻吩类导电聚合物在用于制作超级电容器中的应用。