1.一种以9‑苯基‑咔唑为中心核、二联噻吩为外围基团的聚噻吩类导电聚合物，其结构如式（I）所示：（I）

式（I）中，n代表平均聚合度，n取10 2000。

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2.制备权利要求1所述聚噻吩类导电聚合物的方法，所述方法包括：将式（II）所示基于

9‑苯基‑咔唑的噻吩类衍生物单体溶解在二氯甲烷溶剂中，加入四丁基六氟磷酸铵作为支持电解质，经循环伏安法电化学聚合成膜，所得薄膜经过清洗、干燥，得到式（I）所示9‑苯基‑咔唑为中心核、二联噻吩为外围基团的聚噻吩类导电聚合物；

（II）。

3. 如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述循化伏安电化学聚合的电压范围为0~

1.5 V，聚合圈数为6 10圈；反应体系中，所述单体浓度为0.5 1 mmol/L，所述四丁基六氟磷~ ~酸铵浓度为0.05 0.1 mol/L。

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4.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述基于9‑苯基‑咔唑的噻吩类衍生物单体按如下方法制备获得：（1）结构如式（III）所示的9‑（4‑溴苯基）‑咔唑（TBTCB‑Br）与N‑溴代丁二酰亚胺（NBS）进行溴化反应，得到结构如式（IV）所示的化合物TBTCB‑3Br；

（III） （IV）；

（2）式（IV）所示的TBTCB‑3Br与式（V）所示的2‑三丁基甲锡烷基二联噻吩经stille偶联反应，制得式（II）所示的TBTCB‑3T，即所述基于9‑苯基‑咔唑的噻吩类衍生物；

（V）。

5. 如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述步骤（1）方法如下：将9‑（4‑溴苯基）‑咔唑、N‑溴代丁二酰亚胺和N, N‑二甲基甲酰胺依次加入到单口圆底烧瓶中，冰水混合浴搅拌反应6 8个小时，反应液经分离纯化得到化合物TBTCB‑3Br。

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6. 如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述9‑（4‑溴苯基）‑咔唑和N‑溴代丁二酰亚胺的投料摩尔比为1：9 10；所述反应溶剂N, N‑二甲基甲酰胺的加入体积以9‑（4‑溴苯基）‑~咔唑的质量计为20 30 mL/g。

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7. 如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述步骤（2）方法如下：在N2保护下，将TBTCB‑3Br、2‑三丁基甲锡烷基二联噻吩、二（三苯基膦）二氯化钯和N, N‑二甲基甲酰胺加入到两口圆底烧瓶中，加热回流30 36小时，反应液经分离纯化得到目标产物TBTCB‑3T。

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8. 如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述N, N‑二甲基甲酰胺的加入体积以TBTCB‑3Br的质量计为20 30 mL/g；所述TBTCB‑3Br和2‑三丁基甲锡烷基二联噻吩的投料摩~尔比为1：9 10。

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9.权利要求1所述聚噻吩类导电聚合物在制备超级电容器电极中的应用。