1.一种晶体管型光谱传感器，包括，其特征在于，包括栅极(1)、源极(2)、P型半导体材料层(3)、N型半导体材料层(4)和漏极(5)，栅极(1)与源极(2)之间存在电压差，源极(2)与P型半导体材料层(3)连接，P型半导体材料层(3)与N型半导体材料层(4)连接，N型半导体材料层(4)与漏极(5)连接；

所述P型半导体材料层(3)与N型半导体材料层(4)形成p‑i‑n晶体管异质结，所述栅极(1)采用电栅极，栅压可以改变。

2.根据权利要求1所述的一种晶体管型光谱传感器，其特征在于，所述P型半导体材料层(3)使用材料包括氧化镍、氧化亚铜、氧化钴、三氧化二铬、氧化锡和硫化亚铜。

3.根据权利要求1所述的一种晶体管型光谱传感器，其特征在于，所述N型半导体材料层(4)使用材料包括硒化铅、五氧化二钒、三氧化铬、氧化钛、三氧化钨和三氧化二铁。

4.根据权利要求3所述的一种晶体管型光谱传感器，其特征在于，所述栅极电压能获得多个最优中心探测波长状态。

5.根据权利要求1所述的一种晶体管型光谱传感器，其特征在于，所述P型半导体材料层(3)与N型半导体材料层(4)具备电子导电性能。

6.一种激光光谱仪，其特征在于，所述激光光谱仪包括权利要求1‑5任一所述的晶体管型光谱传感器。