1.一种光晶体管集成传感核心的无光栅量子点光谱探测器，其特征在于：传感单元包括基底(1)，设于基底上方的栅绝缘层(3)，嵌于栅绝缘层和基底之间的栅电极(2)，设置于栅绝缘层(3)上方的源电极(4)、P型有源层(5)、量子点感光层(6)，设于量子点感光层(6)上方的N型半导体层(7)，以及设置于N型半导体层(7)上方的漏电极(8)；P型有源层(5)、量子点感光层(6)、N型半导体层(7)构成P‑I‑N光电异质结构，且量子点感光层(6)掺杂有中心波长不同的量子点，使集成后的TFT阵列每个传感器单元的探测中心波长不同。

2.根据权利要求1所述的光晶体管集成传感核心的无光栅量子点光谱探测器，其特征在于：所述量子点感光层(6)中掺杂的量子点为硒化镉量子点、碳量子点、硅量子点、锗量子点、硒化锌量子点、硫化铅量子点、碲化铅量子点以及硫化铜量子点中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的光晶体管集成传感核心的无光栅量子点光谱探测器，其特征在于：所述栅绝缘层(3)为无机或有机栅绝缘材料。

4.根据权利要求1所述的光晶体管集成传感核心的无光栅量子点光谱探测器，其特征在于：所述基底(1)为玻璃、氮化硅或碳化硅蓝宝石。

5.根据权利要求1所述的光晶体管集成传感核心的无光栅量子点光谱探测器，其特征在于：电极为掺杂氧化铟锡或石墨烯的透明电极。

6.根据权利要求1所述的光晶体管集成传感核心的无光栅量子点光谱探测器，其特征在于：N型半导体层(7)的材料为掺杂铟镓元素的氧化锌。

7.根据权利要求1所述的光晶体管集成传感核心的无光栅量子点光谱探测器，其特征在于：P型有源层的材料为P型的NiO、石墨烯纳米网格、掺杂的硫化钼或Si‑Ge。

8.根据权利要求1所述的光晶体管集成传感核心的无光栅量子点光谱探测器，其特征在于：所述光谱探测器的制备方法包括：(1)在基底(1)上沉积电极，并刻蚀形成平面栅电极(2)，作为附图传感阵列的行扫描线路；在基底上沉积栅绝缘层(3)；

(2)在栅绝缘层(3)上沉积电极，并图形化为平面源电极(4)；

(3)在平面源电极(4)上制备P型有源层(5)，后采用旋涂或打印方法制造量子点感光层(6)；

(4)在量子点感光层(6)上制备N型半导体层(7)形成异质结；

(5)在N型半导体层(7)上制备透明电极，并刻蚀作为平面漏电极(8)。