1. 一种低介低损耗的LTCC复合材料，其特征在于，由SrCuSi4O10与(Li0.5Y0.5)MoO4两相构成，复合时称取两相预烧料的重量配比为(100‑x)% SrCuSi4O10+ x% (Li0.5Y0.5)MoO4，其中17≤x≤21；

所述低介低损耗的LTCC复合材料烧结温度为880~920℃，εr = 7.7~8.1，Q×f值46,000~

53,000 GHz，τf = ‑10~10 ppm/ ºC；

所述低介低损耗的LTCC复合材料的制备方法包括以下步骤：步骤一、将分析纯的SrCO3、CuO、SiO2按摩尔比比例配料；然后将其进行一次球磨使配料混合均匀，按照配料与去离子水和球磨介质按质量比1:1 2：4 6的比例加入去离子水和球~ ~磨介质，在行星球磨机转速250 300 rpm下，球磨4 6 h，球磨后将所得粉料在100 120 ºC下~ ~ ~烘干备用；

步骤二、将步骤一所得的烘干粉料过筛网，过筛后放入坩埚中压实，按2 5 ºC/min的升~温速率升至900~1000 ºC进行预烧，保温2~4 h，随炉冷却得到SrCuSi4O10预烧料；

步骤三、将分析纯的Li2CO3、Y2O3和MoO3按摩尔比的比例配料；将配好的原料进行一次球磨使配料混合均匀，按照配料与去离子水和球磨介质按质量比1:1 2：4 6的比例加入去离~ ~子水和球磨介质，在球磨转速250 300 rpm下，球磨4 6 h，球磨后将所得粉料在100 120 ºC~ ~ ~下烘干备用；

步骤四、将步骤三所得的烘干粉料过筛网，过筛后放入坩埚中压实，升至500 600 ºC进~行预烧，保温2~4 h，随炉冷却得到(Li0.5Y0.5)MoO4预烧料；

步骤五、将步骤二和步骤四得到的SrCuSi4O10预烧料和(Li0.5Y0.5)MoO4预烧料，按照(100‑x)% SrCuSi4O10+ x% (Li0.5Y0.5)MoO4的重量配比进行称重配料，然后按照配料与去离子水和球磨介质按质量比1:1 2：4 6的比例加入去离子水和球磨介质，在球磨转速250 300 ~ ~ ~rpm下，球磨6 12 h，球磨后将粉料在100 120 ºC下烘干备用；

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步骤六、将步骤五所得烘干粉料添加入占其15 wt%～25wt%的PVA溶液作为粘结剂，进行造粒并在10 20 MPa单轴干压成型；

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步骤七、将步骤六所得产物放入烧结炉中，按2 5ºC/min的升温速率先升温至200ºC保~温1 4小时排水，然后再升温至400 600 ºC排胶2 6 h，然后再升温至880 920 ºC保温2 5小~ ~ ~ ~ ~时，随炉冷却至室温，获得测试样品。

2. 如权利要求1所述的低介低损耗的LTCC复合材料，其特征在于，所述步骤一将分析纯的SrCO3、CuO、SiO2按摩尔比SrCO3：CuO：SiO2=1: 1：4的比例配料。

3.如权利要求1所述的低介低损耗的LTCC复合材料，其特征在于，所述步骤二将步骤一所得的烘干粉料过40 80目筛网。

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4. 如权利要求1所述的低介低损耗的LTCC复合材料，其特征在于，所述步骤三将分析纯的Li2CO3、Y2O3和MoO3按摩尔比Li2CO3：Y2O3：MoO3=1: 1: 4的比例配料。

5. 如权利要求1所述的低介低损耗的LTCC复合材料，其特征在于，所述步骤四将步骤三所得的烘干粉料过40 80目筛网，过筛后放入坩埚中压实，按2 5 ºC/min的升温速率升至~ ~

500 600 ºC进行预烧。

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6. 如权利要求1所述的低介低损耗的LTCC复合材料，其特征在于，所述步骤六中PVA溶液的浓度为8 10 wt%。

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7.一种如权利要求1 6任意一项所述低介低损耗的LTCC复合材料在LTCC集成器件中的~应用。

8.一种如权利要求1 6任意一项所述低介低损耗的LTCC复合材料在基板中的应用。

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