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专利号: 2022100262615
申请人: 电子科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2026-05-14
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种低介低损Ba‑Si‑B‑M基LTCC材料,其特征在于:其化学通式为BaSi2BxMyO5,其中M为金属阳离子的Li、Cu、Ca和/或Zn,x=0.05~0.2,y=‑4

0.01~0.09;其主晶相为BaSi2O5,无二次相,介电常数6~7.5,损耗低至6.13×10 ;

采用BaCO3、SiO2、H3BO3、CuO、CaCO3 、Li2CO3和/或ZnO为原料,通过固相法制得;固相法中在900℃ 1000℃预烧,850℃ 950 ℃烧结致密。

~ ~

2.如权利要求1所述低介低损Ba‑Si‑B‑M基LTCC材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1、按照化学通式BaSi2BxMyO5将原料BaCO3、SiO2、H3BO3、CuO、CaCO3、Li2CO3和/或ZnO配料备用,其中x=0.05 0.2,y=0.01 0.09;

~ ~

M依据金属阳离子Li、Cu、Ca和/或Zn的选定选择相应的原料CuO、CaCO3、Li2CO3和/或ZnO;

步骤2、将步骤1所配全部原料与锆球、去离子水以1:5:2 3行星球磨4 6小时至充分混~ ~匀后,取出烘干,然后用40‑120目筛网过筛;

步骤3、将步骤2所得粉体在大气气氛中以900℃ 1000℃预烧4 6小时得预烧料;

~ ~

步骤4、将步骤3所得预烧料再次与锆球、去离子水以1:5:2 3的比例球磨4 6小时后,取~ ~出烘干;然后向烘干后的粉体中添加粘结剂造粒;

步骤5、将步骤4所得产物压制成型,在400 600℃保温2小时排胶后在850 950 ℃大气~ ~气氛中烧结4~6小时,即可制得低介低损Ba‑Si‑B‑M基LTCC材料BaSi2BxMyO5。

3.如权利要求2所述低介低损Ba‑Si‑B‑M基LTCC材料的制备方法,其特征在于:所述步骤2中筛网采用60目筛网。

4.如权利要求2所述低介低损Ba‑Si‑B‑M基LTCC材料的制备方法,其特征在于:所述步骤4中粘结剂为丙烯酸溶液。