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专利号: 201610710000X
申请人: 西北大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2025-08-29
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.在ZnO纳米柱阵列表面沉积生长ZnO纳米颗粒的方法,其特征在于,具体按照以下步骤实施:步骤1、利用醋酸锌、二乙醇胺、无水乙醇及聚乙二醇制备前驱体;

步骤2、将经步骤1得到的前躯体采用旋涂仪旋涂于氧化锌纳米柱阵列上;

步骤3、经步骤2后,将旋涂有前驱体的氧化锌纳米柱阵列放置于恒温电热板上,于空气氛围下进行退火处理,实现在ZnO纳米柱阵列表面沉积生长ZnO纳米颗粒。

2.根据权利要求1所述的在ZnO纳米柱阵列表面沉积生长ZnO纳米颗粒的方法,其特征在于,所述步骤1具体按照以下步骤实施:步骤1.1、按摩尔比1:1~2分别量取醋酸锌和二乙醇胺,并将量取的醋酸锌和二乙醇胺混合,形成混合物;

步骤1.2、取无水乙醇添加到经步骤1.1得到的混合物中,形成混合溶液,其中,醋酸锌的摩尔体积浓度为0.1mol/L~0.2mol/L,二乙醇胺的摩尔体积浓度为0.1mol/L~0.4mol/L;

步骤1.3、待步骤1.2完成后,先称取聚乙二醇,标准为:每1升混合溶液对应聚乙二醇

20g~80g;然后将称取的聚乙二醇于热水浴中加热熔融形成液体状的聚乙二醇;

步骤1.4、将经步骤1.3得到的液体状的聚乙二醇添加到经步骤1.2得到的混合溶液中,搅拌均匀后形成前躯体。

3.根据权利要求1或2所述的在ZnO纳米柱阵列表面沉积生长ZnO纳米颗粒的方法,其特征在于,所述聚乙二醇具体为PEG2000或PEG4000。

4.根据权利要求2所述的在ZnO纳米柱阵列表面沉积生长ZnO纳米颗粒的方法,其特征在于,所述步骤1.3中热水浴的温度为65℃~75℃。

5.根据权利要求1所述的在ZnO纳米柱阵列表面沉积生长ZnO纳米颗粒的方法,其特征在于,在所述步骤2中,用旋涂仪在氧化锌纳米柱阵列上旋涂前躯体时,旋涂量控制为:5ml/cm2~7ml/cm2。

6.根据权利要求1所述的在ZnO纳米柱阵列表面沉积生长ZnO纳米颗粒的方法,其特征在于,在所述步骤2中,用旋涂仪在氧化锌纳米柱阵列上旋涂前躯体时:要采用滴加的方式将经步骤1得到的前躯体滴加到氧化锌纳米柱阵列上,在整个过程中:要分两个阶段控制:第一阶段:将旋涂仪的转速控制为450r/min~550r/min,旋转时间控制为4s~8s;

第二阶段:将旋涂仪的转速控制为950r/min~1050r/min,旋转时间控制为2s~4s。

7.根据权利要求1所述的在ZnO纳米柱阵列表面沉积生长ZnO纳米颗粒的方法,其特征在于,所述步骤3中,恒温电热板的温度控制为450℃~550℃,退火时间控制为8min~

12min。