1.一种PANI@rGO@SiO2气敏材料的制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤：S1.制备GO@SiO2微球；

S2.制备PANI@GO@SiO2微球复合结构；

S3.还原所述PANI@GO@SiO2微球复合结构，制备得到PANI@rGO@SiO2气敏材料；

其中，步骤S1包括以下制备步骤：

S1‑1.分别配置SiO2微球悬浮液和聚二烯丙基二甲基氯化铵溶液，并将所述SiO2微球悬浮液和聚二烯丙基二甲基氯化铵溶液进行混合反应，得到聚二烯丙基二甲基氯化铵改性SiO2微球悬浮液，经过离心、清洗、烘干，制备得到聚二烯丙基二甲基氯化铵改性SiO2微球；

S1‑2.分别配置聚二烯丙基二甲基氯化铵改性SiO2微球溶液和GO溶液，并将所述聚二烯丙基二甲基氯化铵改性SiO2微球溶液加入到所述GO溶液中进行反应，反应结束后，经过离心、清洗、烘干，制备得到GO@SiO2微球；

GO与SiO2微球的平均粒径之比为50~500nm：2~10μm，步骤S1‑2中，所述GO溶液和所述聚二烯丙基二甲基氯化铵改性SiO2微球溶液的浓度之比为0.1~1mg/mL：5~50mg/mL，体积之比为1 10:1 10；

~ ~

步骤S2包括以下制备步骤：

S2‑1.冰浴条件下，将苯胺单体加入到盐酸溶液中形成混合溶液A；

S2‑2.将步骤S1制备得到的所述GO@SiO2微球加入到所述混合溶液A中，保持冰浴条件下搅拌均匀，得到混合溶液B；

S2‑3.配置过硫酸铵‑盐酸混合溶液，将过硫酸铵‑盐酸混合溶液加入至所述混合溶液B中，保持冰浴条件下，搅拌反应，反应结束后，得到高聚物溶液；将所述高聚物溶液进行抽滤，得到固体物质，清洗干燥后，得到PANI@GO@SiO2微球复合结构；

所述GO@SiO2微球和所述苯胺单体的添加比为10~50mg：0.01~1.00mL。

2.根据权利要求1所述的PANI@rGO@SiO2气敏材料的制备方法，其特征在于，所述盐酸溶液的浓度为0.5 1.5mol/L，所述苯胺单体和所述盐酸溶液的添加比为0.01 1.00mL:5~ ~ ~

500mL；

所述过硫酸铵‑盐酸混合溶液的浓度为10 100mg/mL，所述过硫酸铵‑盐酸混合溶液与~所述混合溶液A的添加比为1 50mL:5 500mL。

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3.根据权利要求1所述的PANI@rGO@SiO2气敏材料的制备方法，其特征在于，步骤S3包括以下制备步骤：S3‑1.将所述PANI@GO@SiO2微球复合结构配置为PANI@GO@SiO2微球悬浮液；

S3‑2.将所述PANI@GO@SiO2微球悬浮液涂覆至固体表面，干燥后，在固体表面形成薄膜；

S3‑3.利用氢碘酸还原所述薄膜，制备得到PANI@rGO@SiO2气敏材料。

4.根据权利要求3所述的PANI@rGO@SiO2气敏材料的制备方法，其特征在于，所述PANI@GO@SiO2微球悬浮液的浓度为1~30mg/mL。

5.一种PANI@rGO@SiO2气敏材料，由权利要求1~4中任一项所述的PANI@rGO@SiO2气敏材料的制备方法得到。

6.一种氨气传感器，包括权利要求5所述的PANI@rGO@SiO2气敏材料。