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专利号: 2020105073362
申请人: 苏州科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2026-04-09
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种Si-RGO复合材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将氧化石墨烯纳米片和硅源在pH=8-10的醇和水的混合溶液中进行反应,反应温度为35-65℃,反应完全后得到硅量子点修饰的氧化石墨烯;其中,所述硅源包括硅烷偶联剂;

(2)采用葡萄糖水溶液原位还原所述硅源修饰的氧化石墨烯,反应温度为40-80℃,反应完全后得到所述Si-RGO复合材料,所述Si-RGO复合材料中包括还原氧化石墨烯和与所述还原氧化石墨烯连接的硅量子点。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:在步骤(1)中,所述氧化石墨烯和硅源的比例为0.1-10mg:0.1-5.0mmol。

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:在步骤(1)中,所述硅烷偶联剂选自γ-氨丙基三乙氧基硅烷、γ-氨丙基三甲氧基硅烷、N-(β-氨乙基)-γ-氨丙基三甲氧基硅烷和N–(β氨乙基)-γ-氨丙基甲基二甲氧基硅烷中的一种或几种。

4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:在步骤(2)中,葡萄糖水溶液中,葡萄糖的浓度为0.15-0.35mol/L。

5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:步骤(2)中的葡萄糖与步骤(1)中的氧化石墨烯的质量比为1-20:0.1-10。

6.一种权利要求1-5中任一项所述的制备方法所制备的Si-RGO复合材料,其特征在于:包括还原氧化石墨烯和与所述还原氧化石墨烯连接的硅量子点;所述硅量子点的粒径为2-

5nm;所述还原氧化石墨烯和硅量子点的质量比为90-99:10-1。

7.权利要求6所述的Si-RGO复合材料在检测二氧化氮气体中的应用。

8.权利要求6所述的Si-RGO复合材料在制备用于检测二氧化氮气体的气体传感器中的应用。

9.根据权利要求8所述的应用,其特征在于,所述用于检测二氧化氮气体的气体传感器的制备方法包括以下步骤:提供一带有电极的基底,然后采用电泳法,将权利要求6所述的Si-RGO复合材料接合于所述电极表面,以在所述电极表面形成Si-RGO气敏膜,得到所述用于检测二氧化氮气体的气体传感器;

其中,所述Si-RGO气敏膜的厚度为10-500nm。

10.一种用于检测二氧化氮气体的气体传感器,其特征在于,包括依次设置的基底、电极以及Si-RGO气敏膜,所述Si-RGO气敏膜包括权利要求6所述的Si-RGO复合材料,所述Si-RGO气敏膜的厚度为10-500nm。