1.集成非对称F‑P腔的GaSe基日盲紫外光电探测器，其特征在于：所述光电探测器是将厚度小于8nm的GaSe二维薄片转移至共振波长位于日盲紫外波段的非对称F‑P腔上方，利用腔共振增强日盲紫外波段的共振吸收，并且通过改变腔的厚度调控共振条件，提高日盲紫外/可见抑制比，从而实现日盲紫外光电探测；

所述非对称F‑P腔是由金属反射层与介质层组成的双层结构；所述介质层为Al2O3、SiO2或Si3N4；当所述介质层选用Al2O3时，所述介质层的厚度为89‑95nm；当所述介质层选用SiO2时，所述介质层的厚度为110‑116nm；当所述介质层选用Si3N4时，所述介质层的厚度为71‑

75nm。

2.根据权利要求1所述的集成非对称F‑P腔的GaSe基日盲紫外光电探测器，其特征在于：所述GaSe二维薄片的最小宽度大于1μm。

3.根据权利要求1所述的集成非对称F‑P腔的GaSe基日盲紫外光电探测器，其特征在于：所述非对称F‑P腔中的金属反射层材料为Al。

4.根据权利要求3所述的集成非对称F‑P腔的GaSe基日盲紫外光电探测器，其特征在于：所述金属反射层的厚度为60‑80nm。

5.根据权利要求3所述的集成非对称F‑P腔的GaSe基日盲紫外光电探测器，其特征在于：所述介质层是在金属反射层上通过原子层沉积设备沉积获得。

6.根据权利要求1所述的集成非对称F‑P腔的GaSe基日盲紫外光电探测器，其特征在于：在所述GaSe二维薄片上方还设置有与GaSe呈欧姆接触的金属电极。