1.集成非对称F‑P腔的InSe基日盲紫外光电探测器，其特征在于：所述光电探测器是将厚度小于14 nm且大于等于7 nm的InSe二维薄片转移至共振波长位于日盲紫外波段的非对称F‑P腔上方，利用腔共振，增强日盲紫外波段的共振吸收，实现日盲紫外光电探测；所述非对称F‑P腔是由金属反射层与介质层组成的双层结构，所述介质层为HfO2、ZrO2、SiO2、Al2O3或Y2O3，所述介质层的厚度为20‑50 nm。

2. 根据权利要求1所述的集成非对称F‑P腔的InSe基日盲紫外光电探测器，其特征在于：所述InSe二维薄片的最小宽度大于1 μm。

3.根据权利要求1所述的集成非对称F‑P腔的InSe基日盲紫外光电探测器，其特征在于：所述非对称F‑P腔的金属反射层为日盲紫外波段强反射的Al。

4.根据权利要求3所述的集成非对称F‑P腔的InSe基日盲紫外光电探测器，其特征在于：所述金属反射层的厚度为30‑80 nm。

5.根据权利要求3所述的集成非对称F‑P腔的InSe基日盲紫外光电探测器，其特征在于：所述介质层是在金属反射层上通过原子层沉积设备沉积获得。

6.根据权利要求1所述的集成非对称F‑P腔的InSe基日盲紫外光电探测器，其特征在于：在所述InSe二维薄片上方还设置有与InSe呈欧姆接触的金属电极。