1.一种基于非晶Ga2O3薄膜的日盲紫外探测器，其特征在于，所述日盲紫外探测器由衬底、叉指电极与非晶Ga2O3薄膜层构成，所述叉指电极设置于衬底上表面，所述衬底与叉指电极被非晶Ga2O3薄膜层完全覆盖；

所述衬底采用石英衬底，所述叉指电极采用金电极、金电极的厚度为60nm，叉指电极的叉指长度、宽度、叉指间距分别为200um、4um、4um，所述非晶Ga2O3薄膜层的厚度为100nm；

所述日盲紫外探测器的响应度在10V偏压下为579A/W，所述日盲紫外探测器的光电流的上升时间和下降时间分别为42ms和8ms；

所述基于非晶Ga2O3薄膜的日盲紫外探测器由以下步骤制备：

步骤1.衬底预处理：对衬底进行切割、清洗；

步骤2.叉指电极制备：采用负胶光刻法制备叉指电极图案，再采用双源电子束物理气相沉积法制备金电极于衬底上表面；

步骤3.非晶Ga2O3薄膜制备：采用等离子体增强原子层沉积(PE‑ALD)法沉积非晶Ga2O3薄膜于衬底与叉指电极上表面；具体为：将样品放入原子层沉积设备中，设置反应的基底温度为200～250度、载气为高纯氮气，并温度保持在室温；采用TEG作为镓源、O2作为氧源送入反应腔：TEG前驱体注入0.5s～1s、N2吹扫5s～10s，O2等离子体注入10s～15s、N2吹扫5s～10s，重复1500～2500个循环，得到非晶Ga2O3薄膜，非晶Ga2O3薄膜为a‑Ga2O3薄膜。