1.一种高迁移率n型纳米金刚石薄膜的制备方法，其特征在于所述制备方法包括以下步骤：(1)将预处理后的单晶硅衬底置于热丝化学气相沉积设备的反应转台上，以丙酮作为碳源，采用氢气鼓泡方式将碳源带入反应室腔体，碳源流量40-100sccm，额外通入氢气流量

150-240sccm，反应腔体内温度为500～600℃、热丝功率1800-2400W、在沉积过程中关闭偏压，生长时间40-60分钟，制备得到厚度1-3μm，晶粒尺寸在10-30nm的纳米晶粒密堆积金刚石薄膜；(2)采用离子注入的方法，在步骤(1)得到的纳米晶粒密堆积金刚石薄膜中注入硫离子或氧离子，得到离子注入后的薄膜；(3)将步骤(2)中得到的离子注入后的薄膜进行低真空氧化退火：真空度1000-7000Pa，退火温度500～1200℃，退火时间10-50分钟，即可得到所述高迁移率n型离子注入纳米金刚石薄膜。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤(1)中所述预处理为：配置金刚石微粉和丙酮的混合溶液，混合溶液中金刚石微粉的加入量以丙酮体积计为0.01～0.001g/ml，将单晶硅片置于其中震荡30-50min，之后再用干净的丙酮清洗两次，干燥后作为纳米金刚石薄膜的衬底。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，所述离子注入的注入剂量为

1011～1014cm-2、离子注入能量为60-100keV。

4.如权利要求1～3之一所述的制备方法制备的高迁移率n型纳米金刚石薄膜。

5.如权利要求4所述的纳米金刚石薄膜，其结构特征为：晶粒尺寸在10-30nm，晶粒之间密堆积形成界面，非晶碳含量极少。