1.一种高迁移率的n型超薄纳米金刚石薄膜的制备方法，其特征在于所述方法包括如下步骤：

(1)采用物理气相沉积方法在高阻硅衬底上沉积一层AlN过渡层，AlN厚度为50-100nm；

(2)通过热丝化学气相沉积方法，在步骤(1)沉积了AlN过渡层的高阻硅衬底上制备超薄纳米金刚石膜，以丙酮作为碳源，采用氢气鼓泡方式将碳源带入反应室腔体，碳源流量40-

100sccm，额外通入氢气流量150-240sccm，反应腔体内温度为700-900℃、热丝功率1800-

2400W、生长过程中不施加偏压，生长时间10-30分钟，制备得到厚度200-300nm，晶粒尺寸在

10-30nm的超薄纳米金刚石膜；(3)采用离子注入的方法，在步骤(2)得到的超薄纳米金刚石薄膜中注入施主杂质离子，得到离子注入后的薄膜；所述施主杂质离子为O、P或S离子；(4)将步骤(3)中得到的离子注入后的薄膜进行低真空氧化退火：真空度1000-7000Pa，退火温度700-1000℃，退火时间20-50分钟，即可得到所述高迁移率的n型超薄纳米晶粒密堆积金刚石薄膜。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)为：高阻硅片用干净的丙酮清洗两次，干燥后作为沉积AlN过渡层的衬底，将预处理好的硅衬底置于SPC-350多靶磁控溅射仪反应转台上，以高纯铝靶作为靶材，反应功率为80-120W，反应气压0.5-1.2KPa，通过流量计控制氮气流量在10-20sccm，氩气流量在5-20sccm，并将氮气、氩气通入到真空室中，通过转动分子泵的阀门来将真空室中的气压调节到工作气压，打开直流溅射电源缓慢增加功率，待Al 靶起辉成功之后，将溅射功率调节到所需功率开始溅射， 溅射时间10-30分钟，得到厚度为50-100nm的AlN过渡层。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤(2)中所述沉积了AlN过渡层的高阻硅衬底进行以下预处理：配置金刚石微粉和丙酮的混合溶液，混合溶液中金刚石微粉的加入量为0.1～0.5g/mL丙酮，将得到的沉积AlN过渡层的高阻硅衬底置于其中震荡40～

70min，之后再用干净的丙酮清洗两次，干燥后作为超薄纳米金刚石薄膜生长的衬底。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤(3)中，所述离子注入的工艺参数为：离子注入剂量为1011-1014cm-2、离子注入能量为60-100keV。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤(4)中，所述退火温度为800-1000℃。

6.如权利要求1～5之一所述的制备方法制备的高迁移率的n型超薄纳米金刚石薄膜。

7.如权利要求6所述纳米金刚石薄膜，其结构特征为：晶粒尺寸在10-30nm，晶粒之间密堆积形成界面，非晶碳含量极少。