1.一种碱离子钝化的非铅钙钛矿发光二极管，其特征在于，所述二极管从下至上依次包括ITO导电玻璃、空穴注入层、空穴传输层、非铅钙钛矿发光层、电子传输层、电极修饰层和金属电极；

其中，所述非铅钙钛矿发光层，为非铅钙钛矿薄膜，其由碱离子钝化的非铅钙钛矿前驱体溶液和反溶剂制备而成，具体为：将碱离子钝化的非铅钙钛矿前驱体溶液经聚四氟乙烯滤头过滤后，旋涂于空穴传输层表面，其中在旋涂的第30～60秒向旋涂的表面快速滴加反溶剂，然后退火后冷却至室温；

所述碱离子钝化的非铅钙钛矿前驱体溶液是由碱离子 、 、 中的任意一种，通

过与碘化铯、碘化亚铜、氯化铯、氯化亚铜、溴化铯、溴化亚铜、溴化铋、氯化铋、溴化锑、氯化锑、四溴化锡和四氯化锡中的任意两种固体，溶解于N,N‑二甲基甲酰胺和二甲基亚砜中的一种或两种而配置得到；

所述空穴注入层溶液采用的是(3,4‑乙烯二氧噻吩)：聚(苯乙烯磺酸盐)。

2.根据权利要求1所述的一种碱离子钝化的非铅钙钛矿发光二极管，其特征在于，所述ITO导电玻璃的厚度为80～200nm，空穴注入层的厚度为1～100nm，空穴传输层的厚度为1～

100nm，非铅钙钛矿发光层的厚度为1～150nm，电子传输层的厚度为1～100nm，电极修饰层的厚度为1～10nm，金属电极的厚度为50～200nm。

3.权利要求1所述的一种碱离子钝化的非铅钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：取ITO导电玻璃清洗干净后，取空穴注入层溶液过滤，旋涂于洁净的ITO导电玻璃表面，退火后冷却至室温；

然后配置空穴传输层溶液，将空穴传输层溶液，旋涂于上述所得的空穴注入层表面，退火后冷却至室温；

随后配置碱离子钝化的非铅钙钛矿前驱体溶液，再将碱离子钝化的非铅钙钛矿前驱体溶液经聚四氟乙烯滤头过滤后，旋涂于空穴传输层表面，其中在旋涂的第30～60秒向旋涂的表面快速滴加反溶剂，然后退火后冷却至室温；

接着在上述所得的非铅钙钛矿发光层表面蒸镀电子传输层，在非铅钙钛矿发光层表面蒸镀电子传输层表面蒸镀电极修饰层；

最后在电极修饰层表面蒸镀金属电极，即得到基于碱离子钝化策略的非铅钙钛矿发光二极管。

4.根据权利要求3所述的一种碱离子钝化的非铅钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，所述空穴传输层溶液是由聚[N,N’‑二苯基‑N,N’‑二(3‑甲基苯基)‑1,1′‑联苯‑4,

4′‑二胺]、聚(9‑乙烯基咔唑)、聚[(9,9‑二正辛基芴基‑2,7‑二基)‑alt‑(4,4′‑(N‑(4‑正丁基)苯基)‑二苯胺)]、聚[(9,9‑二辛基芴基‑2,7‑二基)‑alt‑(苯并[2,1,3]噻二唑‑4,8‑二基)]、聚(9,9‑二辛基芴‑2,7‑二基)‑alt‑(N,N’‑二苯基联苯胺‑N,N’‑二基)、4,4'‑二(9‑咔唑)联苯和4,4',4”‑三(咔唑‑9‑基)三苯胺中的任意一种固体，以1～50mg/mL的浓度，溶解于氯苯、氯仿和甲苯中的任意一种溶剂而制备得到。

5.根据权利要求3所述的一种碱离子钝化的非铅钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，所述非铅钙钛矿前驱体溶液中，碱离子 、 、 中的任意一种占总溶液固体质量的百分比为0％～20％。

6.根据权利要求3所述的一种碱离子钝化的非铅钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，所述反溶剂为甲苯、氯苯、乙酸甲酯、乙酸乙酯中的任意一种。

7.根据权利要求3所述的一种碱离子钝化的非铅钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，所述电子传输层材料采用的是1,3,5‑三(1‑苯基‑1H‑苯并咪唑‑2‑基)苯、4,6‑双(3,5‑二(2‑吡啶)基苯基)‑2‑甲基嘧啶、4,6‑双(3,5‑二(3‑吡啶)基苯基)‑2‑甲基嘧啶、1,

3,5‑三[(3‑吡啶基)‑3‑苯基]苯和2,4,6‑三[3‑(二苯基膦氧基)苯基]‑1,3,5‑三唑中的任意一种。

8.根据权利要求3所述的一种碱离子钝化的非铅钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，所述电极修饰层材料采用的是氟化锂和8‑羟基喹啉‑锂中的任意一种，金属电极材料采用的是铝和银中的任意一种。