1.一种钙钛矿钝化层的制备方法，其特征在于，该方法具体步骤如下：(1)将载有单晶或多晶钙钛矿材料的基片放置在温度低于-5℃的环境中5分钟以上，保证基片温度小于-5℃；

(2)将100～400μL钝化层的前驱体溶液在低于0℃～-5℃的环境中涂覆于基底钙钛矿材料表面，形成一层薄膜，然后将基片放置在25-40℃环境中10-50分钟；

所述的钝化层的前驱体溶液由3～4g卤化铅、1g有机胺卤化物盐或碱金属卤化物盐、1～2mL环己烷和2mL异丙醇在30℃下溶解得到；

(3)将基片放置于小于10℃的低温环境中10分钟以上时间，保证基片温度小于10℃，得到第一层钝化层；

(4)将400μL钝化层的前驱体溶液在低于10℃的环境中涂覆于钙钛矿表面，形成一层薄膜；然后将基片放置在10-50℃环境中5-10分钟，与第一层钝化层互渗形成非晶结构；

(5)将基片放置于100-200℃环境中15-30分钟，形成非晶钙钛矿钝化层；

其中，步骤(1)中所述单晶或多晶钙钛矿材料可以为薄膜、纳米球、纳米线、纳米棒、纳米片和量子点中的一种或多种组合；单晶或多晶钙钛矿材料的元素构成可以为有机-无机杂化钙钛矿和/或全无机钙钛矿。

2.根据权利要求1所述钙钛矿钝化层的制备方法，其特征在于，步骤(2)中的预制薄膜厚度应在1-20nm的范围之内。

3.根据权利要求1所述钙钛矿钝化层的制备方法，其特征在于，步骤(4)中的预制薄膜厚度应在1-20nm的范围之内。

4.根据权利要求1所述钙钛矿钝化层的制备方法，其特征在于，步骤(1)中的环境温度为-15℃，保持20分钟。

5.根据权利要求1所述钙钛矿钝化层的制备方法，其特征在于，步骤(2)中的涂覆温度为-5℃，涂覆量为100μL。

6.根据权利要求1所述钙钛矿钝化层的制备方法，其特征在于，步骤(2)中将基片移至

30℃环境中放置30分钟。

7.根据权利要求1所述钙钛矿钝化层的制备方法，其特征在于，步骤(3)中将基片放置在5℃环境中15分钟。

8.根据权利要求1所述钙钛矿钝化层的制备方法，其特征在于，步骤(4)中涂覆温度为5℃。

9.根据权利要求1所述钙钛矿钝化层的制备方法，其特征在于，步骤(4)将基片移至30℃环境中放置10分钟。

10.根据权利要求1所述钙钛矿钝化层的制备方法，其特征在于，步骤(5)在100℃环境中15分钟。