1.基于预旋涂FABr的钙钛矿发光二极管，其特征在于：包括由下向上依次顺序层叠的氧化铟锡玻璃基底、空穴传输层、FABr层、钙钛矿发光层、电子传输层、电子注入层以及金属阴极。

2.根据权利要求1所述的基于预旋涂FABr的钙钛矿发光二极管，其特征在于：空穴传输层由有机空穴传输材料制备而成，膜层厚度为(40～50)nm；其中，有机空穴传输材料为聚乙撑二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)、三芳胺类化合物(TPD)、胺类衍生物(NPB)中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的基于预旋涂FABr的钙钛矿发光二极管，其特征在于：FABr层由甲脒溴化胺(FABr)溶于极性溶剂后形成的FABr溶液旋涂制备而成，其中，极性溶剂为二甲基亚砜(DMSO)或N,N-二甲基酰胺(DMF)；FABr溶液浓度为0.08～0.5mol/L。

4.根据权利要求1所述的基于预旋涂FABr的钙钛矿发光二极管，其特征在于：钙钛矿发光层由钙钛矿前驱液旋涂过程中滴加反溶剂制备而成，所述钙钛矿前驱液由溴化铅(PbBr2)、甲基溴化胺(MABr)与苯乙基溴化胺(PEABr)按照PbBr2:MABr:PEABr＝1:(0.8～1):(0.5～0.8)的摩尔比溶于极性溶剂制得；所得钙钛矿前驱液中Pb2+浓度为(0.4～0.6)mol/L。

5.根据权利要求4所述的基于预旋涂FABr的钙钛矿发光二极管，其特征在于：极性溶剂为N,N-二甲基酰胺(DMF)或二甲基亚砜(DMSO)；反溶剂为甲苯、氯苯、乙醚中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的基于预旋涂FABr的钙钛矿发光二极管，其特征在于：电子传输层由有机电子传输材料制备而成，膜层厚度为(40～50)nm，其中，有机电子传输材料为1,3,

5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、3,3'-[5'-[3-(3-吡啶基)苯基](TmPyPb)、4,

6-双(3,5-二(3-吡啶)基苯基)-2-甲基嘧啶(B3PYMPM)中的一种或多种。

7.根据权利要求1所述的基于预旋涂FABr的钙钛矿发光二极管，其特征在于：电子注入层由氟化锂(LiF)或钙(Ca)制备而成，膜层厚度为1nm。

8.据权利要求1所述的基于预旋涂FABr的钙钛矿发光二极管，其特征在于：金属阴极由铝(Al)或银(Ag)制备而成，膜层厚度为(80～100)nm。

9.如权利要求1～8所述的基于预旋涂FABr的钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一：将溴化铅(PbBr2)、甲基溴化胺(MABr)与苯乙基溴化胺(PEABr)按照PbBr2:MABr:PEABr＝1:(0.8～1):(0.5～0.8)的摩尔比溶于极性溶剂，制得Pb2+浓度为(0.4～0.6)mol/L的钙钛矿前驱液；

步骤二：将甲脒溴化胺(FABr)溶于极性溶剂，制得溶液浓度为(0.08～0.5)mol/L的FABr溶液；

步骤三：将步骤二生成的FABr溶液旋涂至覆盖有空穴传输层的氧化铟锡玻璃基底上，旋涂转速为(1000～3000)rpm，旋涂时间为(60～120)s，旋涂结束后，在(50～80)℃烘干，从而在空穴传输层表面形成FABr层；

步骤四：将步骤一制得的钙钛矿前驱液旋涂至FABr层上，旋涂转速为(4000～5000)rpm，旋涂时间为(30～60)s，并且在旋涂至第(4～30)s时边旋涂边滴加反溶剂，旋涂结束后，在(30～60)℃退火30s～2min，从而在FABr层表面形成钙钛矿发光层；

步骤五：在钙钛矿发光层上依次热蒸镀电子传输层、电子注入层以及金属阴极。

10.根据权利要求9所述的基于预旋涂FABr的钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于：空穴传输层由有机空穴传输材料制备而成，膜层厚度为(40～50)nm；其中，有机空穴传输材料为聚乙撑二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)、三芳胺类化合物(TPD)、胺类衍生物(NPB)中的一种或多种；

极性溶剂为N,N-二甲基酰胺(DMF)或二甲基亚砜(DMSO)；反溶剂为甲苯、氯苯、乙醚中的一种或多种；

电子传输层由有机电子传输材料制备而成，膜层厚度为(40～50)nm，其中，有机电子传输材料为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、3,3'-[5'-[3-(3-吡啶基)苯基](TmPyPb)、4,6-双(3,5-二(3-吡啶)基苯基)-2-甲基嘧啶(B3PYMPM)中的一种或多种；

电子注入层由氟化锂(LiF)或钙(Ca)制备而成，膜层厚度为1nm；

金属阴极由铝(Al)或银(Ag)制备而成，膜层厚度为(80～100)nm。