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专利号: 2022213664481
申请人: 浙江弘康半导体技术股份有限公司
专利类型:实用新型
专利状态:已下证
更新日期:2026-06-16
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种等离子体辅助原子层沉积高阻隔膜装置,包括镀膜室、远程等离子体原子层沉积系统,所述镀膜室两侧分别设有收卷辊和放卷辊,其特征在于:所述镀膜室设有多个,且依次轴向相邻拼接密闭,所述镀膜室内设有导向辊,导向辊与收卷辊和放卷辊之间通过基材料带相连,每个镀膜室上方均设有远程等离子体原子层沉积系统,其等离子体发射端紧挨通过基材料带。

2.根据权利要求1所述的一种等离子体辅助原子层沉积高阻隔膜装置,其特征在于:所述镀膜室的一侧延伸有上连接卡座,另一侧延伸有下连接卡座,上连接卡座与下连接卡座之间衔接有一密封座,所述密封座与上连接卡座和下连接卡座采用螺栓固定,且密封座和上连接卡座与下连接卡座之间形状适配。

3.根据权利要求2所述的一种等离子体辅助原子层沉积高阻隔膜装置,其特征在于:最外侧的两个所述镀膜室外侧密封且一侧贯通,相对内侧的镀膜室两侧均贯通。

4.根据权利要求2所述的一种等离子体辅助原子层沉积高阻隔膜装置,其特征在于:所述密封座上开设有通槽,供基材料带通过。

5.根据权利要求1所述的一种等离子体辅助原子层沉积高阻隔膜装置,其特征在于:每个所述镀膜室内分别周向设置有多个抽气头和进气头,抽气头位于上方、进气头位于下方,所述镀膜室内壁开设有两独立的环形腔,两环形腔分别与抽气头和进气头相通。