1.一种大面积二硫化锆薄膜，其特征在于：所述的大面积二硫化锆薄膜是通过锆前驱体和硫前驱体交替通入反应腔，并在衬底表面发生自限性化学反应生长而成的。

2.根据权利要求1所述的一种大面积二硫化锆薄膜，其特征在于：所述的锆前驱体为四(甲乙胺基)锆或四(二甲胺基)锆，其纯度为99.9999％。

3.根据权利要求1所述的一种大面积二硫化锆薄膜，其特征在于：所述的硫前驱体为硫代乙酰胺，其纯度为99.9999％。

4.根据权利要求1所述的一种大面积二硫化锆薄膜，其特征在于：所述的衬底为表面光滑的氧化硅片、蓝宝石、云母、硅、锗的一种或数种；所述的衬底为直径为4寸或4寸以下的整片或碎片。

5.一种大面积二硫化锆薄膜的原子层沉积制备方法，其特征在于：包含10-5000个生长循环，每个生长循环包含四个步骤：1)首先向原子层沉积系统的反应腔内脉冲通入锆前驱体并使之吸附于衬底表面，2)其次向原子层沉积系统的反应腔内脉冲通入高纯氮气以清洗过量锆前驱体和反应副产物，3)然后向原子层沉积系统的反应腔内脉冲通入硫前驱体并使之与吸附于衬底表面的锆前驱体发生自限性反应并生成二硫化锆原子层，4)最后向原子层沉积系统的反应腔内脉冲通入高纯氮气以清洗过量的硫前驱体和反应副产物。

6.根据权利要求5所述的一种大面积二硫化锆薄膜的原子层沉积制备方法，其特征在于：反应腔的温度设置为250-400℃。

7.根据权利要求5所述的一种大面积二硫化锆薄膜的原子层沉积制备方法，其特征在于：锆前驱体温度设置为80-120℃；锆前驱体脉冲时间为0.5秒；锆前驱体载气流量为

100sccm。

8.根据权利要求5所述的一种大面积二硫化锆薄膜的原子层沉积制备方法，其特征在于：硫前驱体温度设置为室温；硫前驱体脉冲时间为1秒；硫前驱体载气流量为100sccm。

9.根据权利要求5所述的一种大面积二硫化锆薄膜的原子层沉积制备方法，其特征在于：清洗气体脉冲时间为2秒，流量为300sccm。

10.根据权利要求5所述的一种大面积二硫化锆薄膜的原子层沉积制备方法，其特征在于：完成所需生长循环后，需将衬底从反应腔取出后放置在快速退火炉中进行退火处理，退火温度为500-900℃，退火时间为5-20分钟。