1.键合态TiAl单晶的扩散键合工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：将TiAl单晶样品‑4的表面粗糙度Ra值降低到200nm以下，控制扩散焊炉腔内的真空度达到10 Pa以下，升温至平台温度，随后提高压力至平台压力，保温，再冷却，即可得到所述键合态TiAl单晶。

2.根据权利要求1所述的键合态TiAl单晶的扩散键合工艺方法，其特征在于，所述平台温度为950～1250℃，所述平台压力为10～50MPa，所述保温时间为1～10h。

3.根据权利要求2所述的键合态TiAl单晶的扩散键合工艺方法，其特征在于，所述平台温度为1050～1150℃，所述平台压力为10～30MPa，所述保温时间为3～10h。

4.根据权利要求1～3任一项所述的扩散键合工艺方法制备得到的键合态TiAl单晶。

5.根据权利要求4所述的键合态TiAl单晶，其特征在于，当所述平台温度为1050～1150℃，所述平台压力为10～30MPa，所述保温时间为3～10h时，所述键合态TiAl单晶的焊缝处实现了无再结晶原子级扩散键合。

6.根据权利要求1～3任一项所述的扩散键合工艺方法制备得到的键合态TiAl单晶在作为涡轮叶片的替代材料中的应用。

7.根据权利要求1～3任一项所述的扩散键合工艺方法制备得到的键合态TiAl单晶在航空构件中的应用。