1.键合态铜单晶的原子级扩散键合工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：将铜单晶棒‑4的表面粗糙度降低到150nm以下，控制扩散焊炉腔内真空度达到10 Pa以下，提升压力至焊接压力，升温至焊接温度进行扩散键合，保温，冷却，即可得到所述键合态铜单晶；

所述焊接压力为6MPa～20MPa，所述保温时间为0.5～2h，所述焊接温度为550～650℃。

2.根据权利要求1所述的原子级扩散键合工艺方法制备得到的键合态铜单晶。

3.根据权利要求2所述的键合态铜单晶，其特征在于，所述键合态铜单晶的焊接面包括但不限于(113)、(111)、(011)和(001)晶面。

4.根据权利要求3所述的键合态铜单晶，其特征在于，当所述焊接温度为550～650℃，所述焊接压力为6MPa～20MPa，所述保温时间为0.5～2h时，所述键合态铜单晶的焊缝处无再结晶。

5.根据权利要求1所述的键合态铜单晶的原子级扩散键合工艺方法在铜基三维系统封装、多层芯片堆叠和垂直互连工艺中的应用。

6.根据权利要求1所述的键合态铜单晶的原子级扩散键合工艺方法在电子元器件中的应用。