1.一种基于七个C单元的双节点翻转自恢复锁存器，其特征在于，包括双循环结构存储模块和三个传输门，所述双循环结构存储模块由七个二输入C单元和两个反相器组成，所述七个二输入C单元包括第一C单元CE1、第二C单元CE2、第三C单元CE3、第四C单元CE4、第五C单元CE5、第六C单元CE6和第七C单元CE7；所述两个反相器包括第一反相器T1和第二反相器T2；所述三个传输门包括第一传输门TG1、第二传输门TG2和第三传输门TG3；第一传输门TG1、第二传输门TG2、第三传输门TG3的输入端均作为锁存器的数据输入端，第六C单元CE6、第三传输门TG3的输出端均作为锁存器的数据输出端。

2.根据权利要求1所述的一种基于七个C单元的双节点翻转自恢复锁存器，其特征在于，所述第一C单元CE1的第一输入端与第二C单元CE2的输出端N2相连，第一C单元CE1的第二输入端与第四C单元CE4的输出端N4相连，第一C单元CE1的输出端N1与第六C单元CE6的第二输入端相连；所述第二C单元CE2的第一输入端与第七C单元CE7的输出端N7相连，第二C单元CE2的第二输入端与第五C单元CE5的输出端N5相连，第二C单元CE2的输出端N2还与第三C单元CE3的第一输入端相连；所述第三C单元CE3的第二输入端与第六C单元CE6的输出端N6相连，第三C单元CE3的输出端N3分别与第四C单元CE4的第二输入端、第二反相器T2的输入端相连；所述第四C单元CE4的第一输入端与第七C单元CE7的输出端N7相连，第四C单元CE4的输出端N4还与第五C单元CE5的第一输入端相连；所述第五C单元CE5的第二输入端与第六C单元CE6的输出端N6相连，第五C单元CE5的输出端N5还与第一反相器T1的输入端相连；所述第六C单元CE6的第一输入端与第七C单元CE7的输出端N7相连；所述第七C单元CE7的第一输入端与第二反相器T2的输出端相连，第七C单元CE7的第二输入端与第一反相器T1的输出端相连。

3.根据权利要求1或2所述的一种基于七个C单元的双节点翻转自恢复锁存器，其特征在于，所述第一传输门TG1的输出端分别与第一C单元CE1的第一输入端、第三C单元CE3的第一输入端相连；所述第二传输门TG2的输出端分别与第一C单元CE1的第二输入端、第五C单元CE5的第一输入端相连；所述第三传输门TG3的输出端分别与第五C单元CE5的第二输入端、第三C单元CE3的第二输入端相连。

4.根据权利要求1所述的一种基于七个C单元的双节点翻转自恢复锁存器，其特征在于，所述七个二输入C单元的结构相同，均由两个PMOS管和两个NMOS管组成。

5.根据权利要求4所述的一种基于七个C单元的双节点翻转自恢复锁存器，其特征在于，所述C单元包括第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第一NMOS管MN1和第二NMOS管MN2；其中，第一PMOS管MP1的栅极与第一NMOS管MN1的栅极相连接，连接点为所述C单元的第一输入端；第二PMOS管MP2的栅极与第二NMOS管MN2的栅极相连接，连接点为所述C单元的第二输入端；第一PMOS管MP1的漏极与第二PMOS管MP2的源极相连接；第二PMOS管MP2的漏极与第一NMOS管MN1的漏极相连接，连接点为C单元的输出端；第一NMOS管MN1的源极与第二NMOS管MN2的漏极相连接；第一PMOS管MP1的源极、第一PMOS管MP1的衬底、第二PMOS管MP2的衬底均连接电源VDD；第一NMOS管MN1的衬底、第二NMOS管MN2的衬底、第二NMOS管MN2的源极均接地。

6.根据权利要求1所述的一种基于七个C单元的双节点翻转自恢复锁存器，其特征在于，所述三个传输门的结构相同，均由一个PMOS管和一个NMOS管构成。

7.根据权利要求6所述的一种基于七个C单元的双节点翻转自恢复锁存器，其特征在于，所述传输门包括第三PMOS管MP3和第三NMOS管MN3；其中，第三PMOS管MP3的源极与第三NMOS管MN3的源极相连接，连接点为所述传输门的输入端；第三PMOS管MP3的漏极与第三NMOS管MN3的漏极相连接，连接点为所述传输门的输出端；第三NMOS管MN3的栅极连接系统时钟信号CLK，第三PMOS管MP3的栅极连接反向系统时钟信号NCK。

8.根据权利要求7所述的一种基于七个C单元的双节点翻转自恢复锁存器，其特征在于，当系统时钟信号CLK = 0、反向系统时钟信号NCK = 1时，所述第六C单元CE6的输出端N6作为锁存器的数据输出端；当系统时钟信号CLK = 1、反向系统时钟信号NCK = 0时，所述第三传输门TG3的输出端作为锁存器的数据输出端。

9.根据权利要求1所述的一种基于七个C单元的双节点翻转自恢复锁存器，其特征在于，所述两个反相器的结构相同，均由一个PMOS管和一个NMOS管构成。

10.根据权利要求9所述的一种基于七个C单元的双节点翻转自恢复锁存器，其特征在于，所述反相器包括第四PMOS管MP4和第四NMOS管MN4；其中，第四PMOS管MP4的栅极和第四NMOS管MN4的栅极相连接，连接点为第三C单元CE3的输出端N3；第四PMOS管MP4的漏极和第四NMOS管MN4的漏极相连接，连接点为第七C单元CE7的第二输入端；第四PMOS管MP4的源极和第四PMOS管MP4的衬底均连接电源VDD；第四NMOS管MN4的源极和第四NMOS管MN4的衬底均接地。