1.一种紫外-可见-近红外硅基光电探测器，所述的光电探测器为复合层式结构，其特征在于：沿着光入射方向依次包括透明保护层、粘结剂、正面金属薄膜层、无序纳米碗阵列化硅基底、背面金属薄膜层、底板；其中所述的正面金属薄膜层以无序纳米碗阵列化硅基底为基底，并通过物理法沉积所得；所述的正面金属薄膜层与无序纳米碗阵列化硅基底形成肖特基接触，所述的背面金属薄膜层与无序纳米碗阵列化硅基底形成欧姆接触；且所述的正面金属薄膜层作为探测器的前导电电极，所述的背面金属薄膜层作为探测器的后导电电极。

2.根据权利要求1所述的一种紫外-可见-近红外硅基光电探测器，其特征在于：所述的正面金属薄膜层的厚度为5～50nm。

3.根据权利要求1所述的一种紫外-可见-近红外硅基光电探测器，其特征在于：所述的背面金属薄膜层的厚度为50～5000nm。

4.根据权利要求1所述的一种紫外-可见-近红外硅基光电探测器，其特征在于：所述的无序纳米碗阵列化硅基底上纳米碗的直径范围为40～500nm，深度为50～1000nm，所有纳米碗的投影面积之和占器件整体投影面积的填充比为50％～100％。

5.根据权利要求1所述的一种紫外-可见-近红外硅基光电探测器，其特征在于：所述的正面金属薄膜层的材质包括：金、铂、银、铝、钛中的任意一种。

6.根据权利要求1所述的一种紫外-可见-近红外硅基光电探测器，其特征在于：所述的背面金属薄膜层的材质包括：银、铝、铟、镓、金、铂、镍中的任意一种或其任意两种以上的组合。

7.根据权利要求1所述的一种紫外-可见-近红外硅基光电探测器，其特征在于：所述的无序纳米碗阵列化硅基底为n型或p型掺杂，掺杂浓度为1014～1018cm-3，厚度为10～1000μm。

8.根据权利要求1所述的一种紫外-可见-近红外硅基光电探测器，其特征在于：有机硅胶、聚氟乙烯、聚乙烯醇缩丁醛、乙烯聚醋酸乙烯酯中的任一种。

9.一种紫外-可见-近红外硅基光电探测器制备方法，以单面抛光n型或p型单晶硅为基底，其特征在于：包括：

1)对其进行化学清洗之后，在其抛光面沉积10～30nm厚的金或银薄膜；

2)在500～800℃氮气的氛围下快速退火处理2～8分钟；

3)在HF和H2O2的混合水溶液中腐蚀0.5～3分钟，得到硅纳米孔阵列，硅纳米孔底部银纳米颗粒为银或金催化剂；

4)去除硅基底内部残留的银纳米颗粒；

5)化学清洗之后，将硅纳米孔阵列在空气中进行热氧化处理；

6)稀HF浸泡热氧化后的硅，以去除氧化层，将一次热氧化和一次去氧化层处理合称为一次扩孔处理，得到深纳米碗结构阵列；

7)重复进行步骤5)和6)，即两次扩孔处理，得到浅纳米碗阵列；

8)在硅纳米结构阵列的表面蒸镀、溅射或涂覆5～50nm的等离子体金属层作为正面金属薄膜层，根据硅基底的掺杂类型选择可激发等离子共振效应的金属材质，以使所选择金属与硅基底形成肖特基接触；

9)在未经过表面纳米结构化处理的硅基底背面蒸镀、溅射或涂覆50～5000nm的导电层作为背面金属薄膜层，根据硅基底的掺杂类型选择金属材质，以使所选金属与硅基底形成欧姆接触；

10)分别在正面金属薄膜层与背面金属薄膜层上引出导线；

11)将经过上述处理后的硅基底至于底板上，底板材料为普通玻璃、铝合金、有机玻璃、聚氟乙烯、聚氟乙烯复合膜、合成橡胶中的任一种；

12)使用粘结剂将硅基器件与底板连接在一起，并固定住，粘结剂为有机硅胶、聚氟乙烯、聚乙烯醇缩丁醛、乙烯聚醋酸乙烯酯中的任一种；

13)在粘合剂的上方放置透明保护层，盖板材料为石英玻璃、有机玻璃、聚碳酸酯中的任一种。