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专利号: 2017114634627
申请人: 山西大同大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2025-10-14
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.红外探测器的量子点有源区结构,包括:衬底(101),其特征在于:所述衬底(101)上具有缓冲层(102),所述缓冲层(102)上具有第一间隔层(103),所述第一间隔层(103)上具有5个层叠设置在一起的量子点复合层,所述量子点复合层包括下方的量子点层(104)和上方的第二间隔层(105),位于最上方的第二间隔层(105)上具有金属层(106),所述金属层(106)上具有阵列式通孔(107),所述衬底(101)的背面为光线的入射面;

所述金属层(106)的制作材料为Au,其厚度为20nm;

所述通孔(107)的孔径大小为60nm;

所述第一间隔层(103)和所述第二间隔层(105)的制作材料均为Al0.3Ga0.7As,其厚度均为80nm;

所述量子点层(104)的数量为5个,其制作材料为GaAs,厚度为7nm。

2.根据权利要求1所述的红外探测器的量子点有源区结构,其特征在于:所述衬底(101)的制作材料为Si,或为GaAs。

3.如权利要求1 2中任一所述 的红外探测器的量子点有源区结构的制作方法,其特征~在于:包括:

S101、提供衬底(101),经过500 600℃的脱氧处理;

~

S102、在600 700℃下生长缓冲层(102);

~

S103、在缓冲层(102)上生长第一间隔层(103);

S104、在第一间隔层(103)上生长5个层叠设置在一起的量子点复合层;其中,生长一个量子点复合层,具体包括:在第一间隔层(103)/第二间隔层(105)上生长量子点层(104);

在量子点层(104)上生长第二间隔层(105);

S105、在位于最上方的第二间隔层(105)上生长金属层(106);

S106、在金属层(106)上形成阵列式通孔(107)。

4.红外探测器,其特征在于:所述红外探测器包含如权利要求1 2中任一所述的量子点~有源区结构。