1.一类联二噻唑类宽带隙聚合物，其特征在于，它包括给电子单元和缺电子单元，其中缺电子单元采用含联二噻唑基单体；结构式见式I或式II：式中，R选自F、Cl、OR3、甲基或酯基，其中R3选自不同长度的烷基链；Ar选自呋喃、噻吩、锡吩或并二噻吩；n取值为10～100。

2.跟据权利要求1所述的联二噻唑类宽带隙聚合物，其特征在于，所述给电子单元的结构式包括；

其中R2选自碳数为1～30的烷基链；X选自H、F或Cl；X1选自H、F或Cl。

3.跟据权利要求1所述的联二噻唑类宽带隙聚合物，其特征在于，所述含联二噻唑基单体的结构式见式IV；

式中，R选自F、Cl、OR1、甲基或酯基(R1选自不同长度的烷基链(C1～C30)；Ar选自呋喃、噻吩、锡吩或并二噻吩。

4.权利要求1～3任一项所述联二噻唑类宽带隙聚合物的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将给电子单元单体、含联二噻唑基单体和催化剂加入有机溶剂中混合均匀，然后在110～150℃和保护气氛下，反应24～72h；其中D单元单体、A单元单体和催化剂的摩尔比为1:1:(0.02～0.05)。

5.跟据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述给电子单元单体的结构式见式V中的一种：式中；R2选自碳数为1～30的烷基链；X选自H、F或Cl；X1选自H、F或Cl；Y选自O、S或者Se。

6.跟据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述催化剂为四(三苯基膦)钯或三二亚苄基丙酮二钯；有机溶剂为甲苯、氯苯或邻二甲苯。

7.跟据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述缺电子单元单体(A单元单体)的制备方法包括如下步骤：将2‑溴噻唑‑4‑羧酸甲酯在氟化银和二苯腈二氯化钯的催化条件下进行反应生成白色固体；然后再通过与噻吩锡盐进行耦合反应，生成油状液体；随后在加入氧化铈和烷基醇，生成油状液体；最后NBS反应生成最终的A单元单体。

8.跟据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述生成白色固体的反应过程包括：将2‑溴噻唑‑4‑羧酸甲酯、二苯腈二氯化钯和溶剂混合后，加入部分氟化银，在60～120℃温度条件下搅拌反应6～12h；然后加入剩余氟化银继续在60～120℃温度条件下搅拌反应6～

12h。

9.权利要求1～3任一项所述联二噻唑类宽带隙聚合物或权利要求4～8任一项所述制备方法制备的联二噻唑类宽带隙聚合物在光电器件中的应用。