1.一类酯基噻唑类宽带隙聚合物，其特征在于，它为以BDT为给电子单元和含有酯基的噻唑为缺电子单元的宽带隙聚合物，结构式见式I或式II：式中，R1为C1～C20的烷基或烷基上一个碳原子被氧原子或硫原子取代；X选自H、Cl或F；

R2选自C1～C30的烷基链； 选自呋喃、噻吩、锡吩或并二噻吩。

2.根据权利要求1所述的酯基噻唑类宽带隙聚合物，其特征在于，其分子量为1万～8万。

3.根据权利要求1所述的酯基噻唑类宽带隙聚合物，其特征在于，所述缺电子单元选自以下结构：

其中R2选自碳数为1～30的烷基链。

4.一种权利要求1～3任一项所述酯基噻唑类宽带隙聚合物的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将D单元单体、A单元单体和催化剂加入有机溶剂中混合均匀，然后在110～

115℃和保护气氛下，反应30～48h；其中D单元单体、A单元单体和催化剂的摩尔比为1:1:

0.05。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述A单元单体的结构式见式III，D单元单体的结构式见式IV；

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述催化剂为四(三苯基膦)钯；有机溶剂为甲苯。

7.一种酯基噻唑类宽带隙聚合物在光电器件中应用，其特征在于，所述酯基噻唑类宽带隙聚合物用作活性层的给体材料或电子传输材料。