1.一种分层结构MoTe2/C纳米花的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)将钼源加入1,4‑丁二醇中，配制成溶液A，溶液A中钼离子浓度为0.01～0.03mol/L；

将碳源加入去离子水中，配制成浓度为0.008～0.02mol/L的溶液B；

2)将溶液B按照体积比1：(0.3～0.8)滴加至溶液A中，得到混合液，将所述混合液在室温下搅拌4～6小时，反应结束后，进行洗涤，真空干燥，得到前驱体；

3)将前驱体在氩气环境下400～500℃煅烧2～3小时，接着按前驱体与碲源质量比为1:(1～3)加入碲源，在氩氢气环境下煅烧，得到分层结构MoTe2/C纳米花。

2.根据权利要求1所述的分层结构MoTe2/C纳米花的制备方法，其特征在于，在步骤1)中，所述钼源为乙酰丙酮钼、钼酸钾或者钼酸。

3.根据权利要求1所述的分层结构MoTe2/C纳米花的制备方法，其特征在于，在步骤1)中，所述碳源为2‑羟基乙酰苯胺、2,4‑二羟基苯乙胺或4‑(2‑氨基乙基)‑1,2‑苯二酚。

4.根据权利要求1所述的分层结构MoTe2/C纳米花的制备方法，其特征在于，所述步骤2)中，洗涤3～4次，真空干燥温度为50～70℃，干燥时间为10～12小时。

5.根据权利要求1所述的分层结构MoTe2/C纳米花的制备方法，其特征在于，所述步骤3)中，所述碲源为碲粉。

6.根据权利要求1所述的分层结构MoTe2/C纳米花的制备方法，其特征在于，所述步骤3)中，氩气与氢气的体积比为(10～15):1，煅烧温度为500～700℃，煅烧时间为5～7小时。

7.一种分层结构MoTe2/C纳米花，其特征在于，根据权利要求1～6任一项所述方法制备得到。

8.权利要求7所述的分层结构MoTe2/C纳米花作为钠离子电池负极材料的应用。