1.一种分层结构MoTe2/C纳米花的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）将钼源加入1,4‑丁二醇中，配制成溶液A，溶液A中钼离子浓度为0.01 0.03 mol/L；

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将碳源加入去离子水中，配制成浓度为0.008 0.02 mol/L的溶液B；

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2）将溶液B按照体积比1：（0.3～0.8）滴加至溶液A中，得到混合液，将所述混合液在室温下搅拌4 6小时，反应结束后，进行洗涤，真空干燥，得到前驱体；

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3）将前驱体在氩气环境下400 500 ℃煅烧2 3小时，接着按前驱体与碲源质量比为1:~ ~

（1~3）加入碲源，在氩氢气环境下煅烧，得到分层结构MoTe2/C纳米花；

在步骤1）中，所述钼源为乙酰丙酮钼、钼酸钾或者钼酸；

所述碳源为2‑羟基乙酰苯胺、2,4‑二羟基苯乙胺或4‑(2‑氨基乙基)‑1,2‑苯二酚。

2.根据权利要求1所述的分层结构MoTe2/C纳米花的制备方法，其特征在于，所述步骤2）中，洗涤3 4次，真空干燥温度为 50 70 ℃，干燥时间为10 12小时。

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3.根据权利要求1所述的分层结构MoTe2/C纳米花的制备方法，其特征在于，所述步骤3）中，所述碲源为碲粉。

4.根据权利要求1所述的分层结构MoTe2/C纳米花的制备方法，其特征在于，所述步骤3）中，氩气与氢气的体积比为（10 15）:1，煅烧温度为500 700 ℃， 煅烧时间为 5 7小时。

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5.一种分层结构MoTe2/C纳米花，其特征在于，根据权利要求1~4任一项所述方法制备得到。

6.权利要求5所述的分层结构MoTe2/C纳米花作为钠离子电池负极材料的应用。