1.一种分层结构CuS纳米花的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)将铜源和金属盐加入1,4‑丁二醇中，配制成溶液A，铜离子浓度为0.01～0.04mol/L，另一种金属离子浓度为0.005～0.02mol/L；

将硫源加入去离子水中，配制成浓度为0.01～0.03mol/L的溶液B；

2)将溶液B按照体积比1：(0.4～1)滴加至溶液A中，得到混合液；

3)将混合液在40～70℃加热8～11小时，反应结束后，进行洗涤干燥，得到分层结构CuS纳米花。

2.根据权利要求1所述的分层结构CuS纳米花的制备方法，其特征在于，在步骤1)中，铜源为三氟甲磺酸铜、酒石酸铜或者葡萄糖酸铜。

3.根据权利要求1所述的分层结构CuS纳米花的制备方法，其特征在于，在步骤1)中，所述金属盐为氯化镍、氯化钯或二氯化锡。

4.根据权利要求1所述的分层结构CuS纳米花的制备方法，其特征在于，在步骤1)中，所述硫源为硫代氨基脲、L‑甲硫氨酸或2‑硫脲嘧啶。

5.根据权利要求1所述的分层结构CuS纳米花及其制备方法，其特征在于，所述步骤2)中，滴加时间为10～30分钟，滴加完成后搅拌0.5～1小时。

6.根据权利要求1所述的分层结构CuS纳米花及其制备方法，其特征在于，所述步骤3)中，洗涤3～6次，真空干燥温度为50～80℃，干燥时间为9～12小时。

7.一种分层结构CuS纳米花，其特征在于，根据权利要求1～6任一项所述方法制备得到。

8.权利要求7所述的分层结构CuS纳米花作为钠离子电池负极材料的应用。