1.一种图案化4H‑SiC纳米阵列薄膜的制备方法，其特征在于，包括：步骤1，将4H‑SiC晶片与p型掺杂源混合均匀，进行热处理，得到掺杂后的4H‑SiC晶片；

步骤2，将掺杂后的4H‑SiC晶片进行干法氧化，得到覆盖有氧化层的4H‑SiC晶片；

步骤3，将聚苯乙烯微球溶液旋涂在覆盖有氧化层的4H‑SiC晶片上，加热使聚苯乙烯微球缩小并自组装形成单层膜，然后蒸镀沉积金，采用无水乙醇去除聚苯乙烯微球，得到具有金纳米图案的4H‑SiC晶片；

步骤4，将具有金纳米图案的4H‑SiC晶片与铜板接触作为阳极，氢氟酸、乙醇和双氧水组成的刻蚀液作为电解液，在三电极系统中外加脉冲电流对具有金纳米图案的4H‑SiC晶片进行刻蚀处理，在具有金纳米图案的4H‑SiC晶片上形成图案化4H‑SiC纳米线阵列薄膜，然后剥离得到图案化4H‑SiC纳米线阵列薄膜。

2.根据权利要求1所述的图案化4H‑SiC纳米阵列薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1中，所述4H‑SiC晶片为晶相<1120>的N型4H‑SiC晶片，所述p型掺杂源为氯化铵或氯化铝。

3.根据权利要求1所述的图案化4H‑SiC纳米阵列薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1中，热处理是以3‑10℃/min的升温速率升温至1000‑1200℃，保温60‑600min。

4.根据权利要求1所述的图案化4H‑SiC纳米阵列薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2中，干法氧化是在空气气氛中、1000‑1100℃下保温15‑40min。

5.根据权利要求1所述的图案化4H‑SiC纳米阵列薄膜的制备方法，其特征在于，步骤3中，加热温度为250℃，加热时间为15min。

6.根据权利要求1所述的图案化4H‑SiC纳米阵列薄膜的制备方法，其特征在于，步骤4中，氢氟酸、乙醇和双氧水的体积比为(2.5‑3.5):6:1。

7.根据权利要求1所述的图案化4H‑SiC纳米阵列薄膜的制备方法，其特征在于，步骤42

中，刻蚀处理采用的电流密度为100‑140mA/cm，刻蚀处理时间为15‑25min。

8.根据权利要求1所述的图案化4H‑SiC纳米阵列薄膜的制备方法，其特征在于，步骤4中，剥离具体是：先采用直流电流将4H‑SiC晶片从铜板上剥离下来，干燥，再使用双面胶将图案化4H‑SiC纳米线阵列薄膜从4H‑SiC晶片上剥离下来。

9.采用权利要求1‑8任一项所述的制备方法得到的图案化4H‑SiC纳米阵列薄膜。

10.基于权利要求9所述的图案化4H‑SiC纳米阵列薄膜的光电探测器件。